[发明专利]一种黄绿光发光二极管及制作方法

权利要求书

1.一种黄绿光发光二极管的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括：

提供一预设晶向的衬底；

在所述衬底的一侧生长缓冲层；

在所述缓冲层背离所述衬底的一侧生长分布式布拉格反射层，其中，所述分布式布拉格反射层为掺杂Te的分布式布拉格反射层；

在所述分布式布拉格反射层背离所述缓冲层的一侧生长第一型限制层，其中，所述第一型限制层为掺杂Te的第一型限制层；

在所述第一型限制层背离所述分布式布拉格反射层的一侧生长非掺杂超晶格有源层；

在所述非掺杂超晶格有源层背离所述第一型限制层的一侧生长第二型限制层；

在所述第二型限制层背离所述非掺杂超晶格有源层的一侧生长过渡层；

在所述过渡层背离所述第二型限制层的一侧生长窗口层；

在所述窗口层背离所述过渡层的一侧生长第一型电极；

在所述衬底背离所述缓冲层的一侧生长第二型电极；

其中，所述在所述缓冲层背离所述衬底的一侧生长分布式布拉格反射层包括：

在第一温度下，在所述缓冲层背离所述衬底的一侧生长第一预设厚度的分布式布拉格反射层；

其中，所述第一温度的范围为610℃-630℃，包括端点值，所述第一预设厚度的范围为50nm-100nm，包括端点值。

2.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述预设晶向的衬底为晶向为1.5度-2.5度的N-GaAs衬底。

3.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述分布式布拉格反射层背离所述缓冲层的一侧生长第一型限制层包括：

在第二温度下，在所述分布式布拉格反射层背离所述缓冲层的一侧生长第一型限制层；

其中，所述第一型限制层为N型限制层，所述第二温度的范围为650℃-670℃，包括端点值。

4.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述第一型限制层背离所述分布式布拉格反射层的一侧生长非掺杂超晶格有源层包括：

在第三温度下，在所述第一型限制层背离所述分布式布拉格反射层的一侧生长第三预设厚度的非掺杂超晶格有源层；

其中，所述第三温度的范围为620℃-640℃，包括端点值，所述第三预设厚度的范围为10nm-50nm，包括端点值。

5.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述在所述过渡层背离所述第二型限制层的一侧生长窗口层包括：

在第四温度下，在所述过渡层背离所述第二型限制层的一侧生长窗口层；

其中，所述窗口层为GaP窗口层，所述第四温度的范围为600℃-610℃，包括端点值。

6.根据权利要求1所述的制作方法，其特征在于，所述第二型限制层为掺杂Mg的P型限制层，所述过渡层为掺杂Mg的P型过渡层，所述窗口层为掺杂Mg的窗口层。

7.一种黄绿光发光二极管，其特征在于，基于权利要求1-6任一项所述的制作方法制作，所述黄绿光发光二极管包括：

预设晶向的衬底；

设置在所述衬底一侧的缓冲层；

设置在所述缓冲层背离所述衬底一侧的分布式布拉格反射层，其中，所述分布式布拉格反射层为掺杂Te的分布式布拉格反射层；

设置在所述分布式布拉格反射层背离所述缓冲层一侧的第一型限制层，其中，所述第一型限制层为掺杂Te的第一型限制层；

设置在所述第一型限制层背离所述分布式布拉格反射层一侧的非掺杂超晶格有源层；

设置在所述非掺杂超晶格有源层背离所述第一型限制层一侧的第二型限制层；

设置在所述第二型限制层背离所述非掺杂超晶格有源层一侧的过渡层；

设置在所述过渡层背离所述第二型限制层一侧的窗口层；

设置在所述窗口层背离所述过渡层一侧的第一型电极；

设置在所述衬底背离所述缓冲层一侧的第二型电极。