[发明专利]适于形成包括通孔的衬底结构的制作方法有效
| 申请号： | 201711142516.X | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN109216202B | 公开（公告）日： | 2021-08-24 |
| 发明（设计）人： | 刘逸群;李远智;丁鸿泰 | 申请（专利权）人： | 同泰电子科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48 |
| 代理公司： | 北京同立钧成知识产权代理有限公司 11205 | 代理人： | 吴志红;臧建明 |
| 地址： | 中国台湾台*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 本发明提供一种适于形成包括通孔的衬底结构的制作方法包括下列步骤。提供衬底，其中衬底的材料包括聚酰亚胺。形成蚀刻终止层于衬底上，其中蚀刻终止层覆盖衬底的相对两表面。对蚀刻终止层进行图案化工艺，以形成多个开口，开口暴露部分衬底。对衬底进行蚀刻工艺，以移除被开口所暴露的部分衬底而形成多个通孔。 | ||
| 搜索关键词： | 适于 形成 包括 衬底 结构 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种适于形成包括通孔的衬底结构的制作方法，包括：提供衬底，其中所述衬底的材料包括聚酰亚胺；形成蚀刻终止层于所述衬底上，其中所述蚀刻终止层覆盖所述衬底的相对两表面；对所述蚀刻终止层进行图案化工艺，以形成多个开口，所述多个开口暴露部分所述衬底；以及对所述衬底进行蚀刻工艺，以移除被所述多个开口所暴露的部分所述衬底而形成所述多个通孔。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
