[发明专利]适于形成包括通孔的衬底结构的制作方法

说明书

本发明提供一种适于形成包括通孔的衬底结构的制作方法包括下列步骤。提供衬底，其中衬底的材料包括聚酰亚胺。形成蚀刻终止层于衬底上，其中蚀刻终止层覆盖衬底的相对两表面。对蚀刻终止层进行图案化工艺，以形成多个开口，开口暴露部分衬底。对衬底进行蚀刻工艺，以移除被开口所暴露的部分衬底而形成多个通孔。

技术领域

本发明实施例涉及一种衬底结构的制作方法，尤其涉及一种适于形成包括通孔的衬底结构的制作方法。

背景技术

集成电路的封装是用于提供芯片与印刷电路板或其他适当元件之间电性连接的媒介、以及保护芯片，为制作集成电路成品的最后步骤。在集成电路的模块中，由于大量导线从芯片中释出，故需要数以百计的连接来构成完整的线路。传统的芯片封装中，是使用导线架以电性连接芯片及封装的外接导线。因为集成电路的积集度日益增加，虽然封装体积保持原状或缩小，但是其所需的导线却大量增加。传统的导线架已不敷使用，因而发展出许多不同的封装技术，以容纳及连接更多的导线，完成更复杂的线路。

近年来，为因应电子产品日益轻、薄、短、小的趋势，电路基板上的布线设计及制作也须加以改良。为增加线路布线密度，除了使线路细微化之外，还可以将电路基板的贯穿孔的孔径缩小化，使线路的运作更加快速、更有效率。

以往是以机械钻孔(Mechanic Drill Through Hole)方式在电路基板上制作贯穿孔，然而，因受限于机械加工的精密度，所以无法将贯穿孔的孔径进一步缩小，故未能达成线路细微化的目的。若改以高功率的激光对电路基板进行钻孔时，其所形成的贯穿孔的孔径则可进一步缩小，但激光加工的成本较高，并且，以激光所形成的通孔具有高纵横比，并不适合于许多应用，通孔的深度也较难以控制，从而导致通孔过浅或过深。

发明内容

本发明实施例提供一种适于形成包括通孔的衬底结构的制作方法，其生产成本较低且可符合细间距(fine pitch)的需求。

本发明实施例的一种适于形成包括通孔的衬底结构的制作方法包括下列步骤。提供衬底，其中衬底的材料包括聚酰亚胺。形成蚀刻终止层于衬底上，其中蚀刻终止层覆盖衬底的相对两表面。对蚀刻终止层进行图案化工艺，以形成多个开口，开口暴露部分衬底。对衬底进行蚀刻工艺，以移除被开口所暴露的部分衬底而形成多个通孔。

在本发明的一实施例中，上述的蚀刻工艺包括以碱性蚀刻液对衬底进行蚀刻。

在本发明的一实施例中，上述的蚀刻终止层包括光致抗蚀剂层，且图案化工艺包括光刻工艺。

在本发明的一实施例中，上述的衬底结构的制作方法还包括：在形成通孔之后，移除被图案化的光致抗蚀剂层。

在本发明的一实施例中，上述的蚀刻终止层包括金属层，且图案化工艺包括金属蚀刻工艺。

在本发明的一实施例中，上述的金属蚀刻工艺包括以酸性蚀刻液对金属层进行蚀刻

在本发明的一实施例中，上述的衬底结构的制作方法还包括：对衬底进行化镀工艺，以形成种晶层，其中种晶层覆盖衬底的相对两表面以及各通孔的内壁。

在本发明的一实施例中，上述的衬底结构的制作方法，还包括：以种晶层作为导电路径形成导电层在种晶层上。形成光致抗蚀剂层于种晶层上，光致抗蚀剂层覆盖通孔以及部分种晶层。对导电层以及种晶层进行图案化工艺，以移除被光致抗蚀剂层所暴露的部分导电层以及种晶层。

在本发明的一实施例中，上述的衬底结构的制作方法还包括：形成光致抗蚀剂层于种晶层上，光致抗蚀剂层暴露通孔以及部分种晶层。以被暴露的部分种晶层作为导电路径而形成图案化导电层在被暴露的部分种晶层上。移除光致抗蚀剂层。图案化种晶层，以移除被光致抗蚀剂层所暴露的部分种晶层。

在本发明的一实施例中，上述的各通孔的直径介于20微米至150微米之间。