[发明专利]适于形成包括通孔的衬底结构的制作方法

权利要求书

1.一种适于形成包括通孔的衬底结构的制作方法，包括：

提供衬底，其中所述衬底的材料包括聚酰亚胺；

形成蚀刻终止层于所述衬底上，其中所述蚀刻终止层包括第一金属层以及第二金属层，所述第一金属层以及所述第二金属层分别覆盖且直接接触所述衬底的相对两表面；

对所述蚀刻终止层进行图案化工艺，以形成多个开口，所述多个开口暴露部分所述衬底；

对所述衬底进行蚀刻工艺，以移除被所述多个开口所暴露的部分所述衬底而形成所述多个通孔，在形成所述多个通孔之后，移除被图案化的所述蚀刻终止层，其中所述蚀刻工艺包括以碱性蚀刻液对所述衬底进行蚀刻，各所述通孔的直径介于20微米至150微米之间；

对所述衬底进行化镀工艺，以使所述衬底的表面金属化而形成一种晶层，其中所述种晶层覆盖所述衬底的相对所述两表面以及各所述通孔的内壁；

以所述种晶层作为导电路径形成导电层于所述种晶层上；

形成光致抗蚀剂层于所述导电层上，所述光致抗蚀剂层覆盖所述多个通孔并暴露部分所述导电层及所述种晶层；以及

图案化所述导电层以及所述种晶层，以移除被所述光致抗蚀剂层所暴露的部分所述导电层以及所述种晶层，且暴露部分所述衬底的相对所述两表面。

2.根据权利要求1所述的适于形成包括通孔的衬底结构的制作方法，其中所述图案化工艺包括金属蚀刻工艺。

3.根据权利要求2所述的适于形成包括通孔的衬底结构的制作方法，其中所述金属蚀刻工艺包括以酸性蚀刻液对所述金属层进行蚀刻。

4.一种适于形成包括通孔的衬底结构的制作方法，包括：

提供衬底，其中所述衬底的材料包括聚酰亚胺；

形成蚀刻终止层于所述衬底上，其中所述蚀刻终止层包括第一金属层以及第二金属层，所述第一金属层以及所述第二金属层分别覆盖且直接接触所述衬底的相对两表面；

对所述蚀刻终止层进行图案化工艺，以形成多个开口，所述多个开口暴露部分所述衬底；

对所述衬底进行蚀刻工艺，以移除被所述多个开口所暴露的部分所述衬底而形成所述多个通孔，在形成所述多个通孔之后，移除被图案化的所述蚀刻终止层，其中所述蚀刻工艺包括以碱性蚀刻液对所述衬底进行蚀刻，各所述通孔的直径介于20微米至150微米之间；

对所述衬底进行化镀工艺，以使所述衬底的表面金属化而形成一种晶层，其中所述种晶层覆盖所述衬底的相对所述两表面以及各所述通孔的内壁；

形成光致抗蚀剂层于所述种晶层上，所述光致抗蚀剂层暴露所述多个通孔以及部分所述种晶层；

以被暴露的部分所述种晶层作为导电路径而形成图案化导电层于被暴露的部分所述种晶层上；

移除所述光致抗蚀剂层；以及

图案化所述种晶层，以移除被所述光致抗蚀剂层所暴露的部分种晶层。