[发明专利]一种基于膏体的高精度多孔氮化硅复杂形状件的制备方法有效
| 申请号： | 201711142473.5 | 申请日： | 2017-11-17 |
| 公开（公告）号： | CN108002843B | 公开（公告）日： | 2020-07-10 |
| 发明（设计）人： | 史玉升;刘荣臻;吴甲民;陈双;陈鹏;陈安南;文世峰 | 申请（专利权）人： | 华中科技大学 |
| 主分类号： | C04B35/591 | 分类号： | C04B35/591;C04B35/622;C04B35/634;C04B38/06 |
| 代理公司： | 华中科技大学专利中心 42201 | 代理人： | 周磊;曹葆青 |
| 地址： | 430074 湖北*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明属于材料成型技术领域，并公开了一种基于膏体的高精度多孔氮化硅复杂形状件的制备方法，将光固化工艺与碳热还原氮化工艺结合，以氧化硅、碳粉等为原料，采用基于陶瓷膏体的光固化成型工艺制备出复合复杂形状件后，通过碳热还原氮化工艺将其氮化为多孔氮化硅部件。本发明所提出的工艺方法采用陶瓷膏体为原料，所制备的坯体具有较高的尺寸精度，而后处理所用的碳热还原氮化方法也具有非常好的近净成型特性，适合成型高精度复杂形状多孔氮化硅件。本发明所提出的制备方法具有工艺流程短、近净尺寸成型性好等特点，是一种具有良好工业应用前景的复杂形状多孔氮化硅件制备方法。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 基于 高精度 多孔 氮化 复杂 形状 制备 方法 | ||
【主权项】：
1.一种基于膏体的高精度多孔氮化硅复杂形状件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：1)按如下重量比例准备原料：氧化硅粉22份～46份，碳粉3.5份～13.5份，烧结助剂1.5份～3.5份，氮化硅晶种3份～7份，光敏树脂30份～70份；2)将以上述原料混合制备出复合膏体；3)通过光固化成型的方式预成型出复合坯体；4)对复合坯体进行碳热还原氮化烧结，获得多孔氮化硅复杂形状件。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华中科技大学，未经华中科技大学许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711142473.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种舒展椅
- 下一篇：一种并列式轴向磁通混合励磁双凸极电机
