[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法以及液晶显示面板有效

专利信息
申请号: 201711140867.7 申请日: 2017-11-16
公开(公告)号: CN107768386B 公开(公告)日: 2020-09-01
发明(设计)人: 徐洪远 申请(专利权)人: 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362
代理公司: 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 代理人: 林才桂
地址: 518132 广东省深*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法以及液晶面板。该TFT阵列基板以可透光的硅基纳米线来作为TFT的半导体层,设置TFT的栅极由透明材料构成,像素电极遮盖住所述TFT所占据的区域,那么背光源发出的光线能够透过整个TFT与像素电极,所以TFT所占据的那部分像素区域亦透光,能够大幅提高像素开口率,提升高PPI液晶显示面板的透光率,改善高PPI液晶显示面板的显示效果。
搜索关键词: tft 阵列 及其 制作方法 以及 液晶显示 面板
【主权项】:
一种TFT阵列基板,其特征在于,包括:基板(1);设在所述基板(1)上的扫描线(21);设在所述基板(1)上并连接所述扫描线(21)的栅极(22),所述栅极(22)采用透明导电材料;覆盖所述基板(1)、扫描线(21)与栅极(22)的栅极绝缘层(3);设在栅极绝缘层(3)上的多条硅基纳米线(4),所述多条硅基纳米线(4)的投影落在所述栅极(22)上;设在所述栅极绝缘层(3)上并与扫描线(21)绝缘交叉的数据线(51);设在所述栅极绝缘层(3)上连接所述数据线(51)并接触所述多条硅基纳米线(4)的源极(52);设在所述栅极绝缘层(3)上并接触所述多条硅基纳米线(4)的漏极(53);覆盖所述栅极绝缘层(3)、硅基纳米线(4)、数据线(51)、源极(52)与漏极(53)的钝化层(6);以及设在所述钝化层(6)上的像素电极(7),所述像素电极(7)经由贯穿所述钝化层(6)的过孔(61)接触所述漏极(53);所述栅极(22)、多条硅基纳米线(4)、源极(52)及漏极(53)构成TFT(20);所述像素电极(7)遮盖住所述TFT(20)所占据的区域。
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