[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法以及液晶显示面板有效
申请号: | 201711140867.7 | 申请日: | 2017-11-16 |
公开(公告)号: | CN107768386B | 公开(公告)日: | 2020-09-01 |
发明(设计)人: | 徐洪远 | 申请(专利权)人: | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
代理公司: | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人: | 林才桂 |
地址: | 518132 广东省深*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | tft 阵列 及其 制作方法 以及 液晶显示 面板 | ||
本发明提供一种TFT阵列基板及其制作方法以及液晶面板。该TFT阵列基板以可透光的硅基纳米线来作为TFT的半导体层,设置TFT的栅极由透明材料构成,像素电极遮盖住所述TFT所占据的区域,那么背光源发出的光线能够透过整个TFT与像素电极,所以TFT所占据的那部分像素区域亦透光,能够大幅提高像素开口率,提升高PPI液晶显示面板的透光率,改善高PPI液晶显示面板的显示效果。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种TFT阵列基板及其制作方法以及液晶面板。
背景技术
在显示技术领域,以液晶显示器(Liquid Crystal Display,LCD)为代表的平板显示器已经逐步取代了CRT显示器。
平板显示器主要分为主动发光型和非主动发光型两大类:主动发光型平板显示器是利用电压信号来调制各发光点即子像素的亮度和颜色,进行直接显示;非主动发光型平板显示器本身不发光,而是利用电压信号控制专用光源在每个发光点即子像素上的透过亮度,达到显示的目的。
LCD便是一种被广泛应用地非主动发光型平板显示器,其包括液晶显示面板及背光模组;液晶显示面板又包括薄膜晶体管阵列基板(Thin Film Transistor ArraySubstrate,简称TFT阵列基板)、一彩膜基板(Color Filter,CF)以及一配置于两基板间的液晶层(Liquid Crystal Layer)。LCD通过液晶开关调制背光源的光场强度来实现画面显示。其中,TFT阵列基板上设置有呈矩阵式排布的多个薄膜晶体管TFT,一个TFT对应位于一个子像素区域内。在现有技术中,TFT通常是不透明的,会影响到像素的开口率。
随着增强现实(Augmented Reality,AR)、虚拟现实(Virtual Reality,VR)等新兴产品的开发和流行,要求液晶显示面板具有超高的像素密度(Pixels Per Inch,PPI)。对于液晶显示面板来说,随着PPI的逐步增高,TFT在单个子像素区域内所占据的面积相对于单个子像素面积的比例越来越大;换句话说,在高PPI的液晶显示面板中,相当大一部分的像素开口率会被TFT牺牲掉,造成高PPI液晶显示面板的透光率较低,显示效果较差。
发明内容
本发明的目的在于提供一种TFT阵列基板,能够使TFT所占据的那部分像素区域透光,提高像素开口率,提升高PPI液晶显示面板的透光率,改善高PPI液晶显示面板的显示效果。
本发明的另一目的在于提供一种TFT阵列基板的制作方法,通过该方法制作的TFT阵列基板能够提高像素开口率,提升高PPI液晶显示面板的透光率,改善高PPI液晶显示面板的显示效果。
本发明的目的还在于提供一种液晶面板,能够在高PPI的前提下,具有较高的像素开口率及较优的显示效果。
为实现上述目的,本发明首先提供一种TFT阵列基板,包括:
基板;
设在所述基板上的扫描线;
设在所述基板上并连接所述扫描线的栅极,所述栅极采用透明导电材料;
覆盖所述基板、扫描线与栅极的栅极绝缘层;
设在栅极绝缘层上的多条硅基纳米线,所述多条硅基纳米线的投影落在所述栅极上;
设在所述栅极绝缘层上并与扫描线绝缘交叉的数据线;
设在所述栅极绝缘层上连接所述数据线并接触所述多条硅基纳米线的源极;
设在所述栅极绝缘层上并接触所述多条硅基纳米线的漏极;
覆盖所述栅极绝缘层、硅基纳米线、数据线、源极与漏极的钝化层;
以及设在所述钝化层上的像素电极,所述像素电极经由贯穿所述钝化层的过孔接触所述漏极;
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的