[发明专利]TFT阵列基板及其制作方法以及液晶显示面板有效
| 申请号： | 201711140867.7 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107768386B | 公开（公告）日： | 2020-09-01 |
| 发明（设计）人： | 徐洪远 | 申请（专利权）人： | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L27/12 | 分类号： | H01L27/12;H01L21/77;G02F1/1362 |
| 代理公司： | 深圳市德力知识产权代理事务所 44265 | 代理人： | 林才桂 |
| 地址： | 518132 广东省深*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | tft 阵列 及其 制作方法 以及 液晶显示 面板 | ||
1.一种TFT阵列基板，其特征在于，包括：
基板(1)；
设在所述基板(1)上的扫描线(21)；
设在所述基板(1)上并连接所述扫描线(21)的栅极(22)，所述栅极(22)采用透明导电材料；
覆盖所述基板(1)、扫描线(21)与栅极(22)的栅极绝缘层(3)；
设在栅极绝缘层(3)上的多条硅基纳米线(4)，所述多条硅基纳米线(4)的投影落在所述栅极(22)上；
设在所述栅极绝缘层(3)上并与扫描线(21)绝缘交叉的数据线(51)；
设在所述栅极绝缘层(3)上连接所述数据线(51)并接触所述多条硅基纳米线(4)的源极(52)；
设在所述栅极绝缘层(3)上并接触所述多条硅基纳米线(4)的漏极(53)；
覆盖所述栅极绝缘层(3)、硅基纳米线(4)、数据线(51)、源极(52)与漏极(53)的钝化层(6)；
以及设在所述钝化层(6)上的像素电极(7)，所述像素电极(7)经由贯穿所述钝化层(6)的过孔(61)接触所述漏极(53)；
所述栅极(22)、多条硅基纳米线(4)、源极(52)及漏极(53)构成TFT(20)；所述像素电极(7)遮盖住所述TFT(20)所占据的区域；
所述源极(52)呈梳齿状，包括数条相互平行的源极分支(521)，每一源极分支(521)与所述多条硅基纳米线(4)交叉接触；所述漏极(53)呈梳齿状，包括数条相互平行的漏极分支(531)，每一漏极分支(531)与所述多条硅基纳米线(4)交叉接触；
所述源极分支(521)与漏极分支(531)间隔排布；
所述源极分支(521)与漏极分支(531)的宽度均小于2μm。
2.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述栅极(22)采用的透明导电材料为氧化铟锡，所述扫描线(21)包括与所述栅极(22)同层的底层(211)及层叠在所述底层(211)上的金属层图案(212)，所述底层(211)的材料与所述栅极(22)的材料相同。
3.如权利要求1所述的TFT阵列基板，其特征在于，所述硅基纳米线(4)的直径为50nm～100nm。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市华星光电半导体显示技术有限公司，未经深圳市华星光电半导体显示技术有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201711140867.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种显示面板和显示装置
- 下一篇：一种阵列基板及其修复方法
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
