[发明专利]一种提高共源极钨墙与钨栅极之间击穿电压的3D NAND制备方法有效
| 申请号： | 201711140454.9 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107968093B | 公开（公告）日： | 2020-08-25 |
| 发明（设计）人： | 张森;高晶;杨川;丁蕾;严萍;许波;刘力恒 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/11551 | 分类号： | H01L27/11551;H01L27/11524;H01L27/11578;H01L27/1157 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 佟林松 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本发明提供了一种提高共源极钨墙与钨栅极之间击穿电压的3D NAND制备方法，所述方法包括如下步骤：提供一具有沟道槽的衬底堆叠结构，在沟道槽中进行第一次栅极线间隙层(GLSP)低温氧化物沉积；进行第二次栅极线间隙层高温氧化物沉积；第一次栅极线间隙层和第二次栅极线间隙层的回刻蚀；在沟道槽填充沉积共源极钨(W)墙；共源极钨(W)墙的表面平坦化。本发明第二次栅极线间隙线的材料采用高温原子层沉积氧化物代替现有技术中采用的低温氧化物，由于高温氧化物具有更高的致密度，因此会提高所制备的3D NAND的共源极钨墙与钨栅极之间的击穿电压，提高器件的电气性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 共源极钨墙 栅极 之间 击穿 电压 nand 制备 方法 | ||
【主权项】：
一种提高共源极钨墙与钨栅极之间击穿电压的3D NAND制备方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：提供一具有沟道槽的衬底堆叠结构，在沟道槽中进行第一次栅极线间隙层(GLSP)低温氧化物沉积；进行第二次栅极线间隙层高温氧化物沉积；第一次栅极线间隙层和第二次栅极线间隙层的回刻蚀；在沟道槽填充沉积共源极(ACS)钨(W)墙；共源极(ACS)钨(W)墙的表面平坦化。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
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