[发明专利]一种3D NAND制造方法有效
| 申请号： | 201711140453.4 | 申请日： | 2017-11-16 |
| 公开（公告）号： | CN107994031B | 公开（公告）日： | 2020-12-18 |
| 发明（设计）人： | 袁彬;周成;龚睿;赵治国;唐兆云;霍宗亮 | 申请（专利权）人： | 长江存储科技有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L27/1157 | 分类号： | H01L27/1157;H01L27/11578 |
| 代理公司： | 北京辰权知识产权代理有限公司 11619 | 代理人： | 刘广达 |
| 地址： | 430074 湖北省武汉市洪山区东*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 提供一种用于3D NAND制造方法，包括以下步骤：在进行多晶硅沟道刻蚀之前；沉积形成阻挡层(320)和填充层(330)；涂覆负光刻胶层；采用负光刻胶WEE(wafer edge exposure)工艺，保留晶圆边缘的负光刻胶；刻蚀去除被负光刻胶暴露的填充层，其中阻挡层和填充层的刻蚀选择比大，使得阻挡层作为刻蚀阻挡层；采用CMP工艺去除残余的填充层(331)，其中阻挡层(320)作为CMP阻挡层；去除阻挡层(320)。优选阻挡层为PECVD沉积的SiN层，填充层为HDP沉积的氧化硅层。通过该工艺可避免3D NAND工艺中晶圆边缘的电弧和剥离缺陷，提高晶圆成品率。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 nand 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种用于3D NAND制造方法，包括以下步骤：提供衬底结构，衬底结构包括衬底(300)、形成于衬底(300)上的台阶结构(310)以及覆盖台阶结构(310)的平坦化层；在衬底结构上刻蚀形成沟槽；沉积形成阻挡层(320)和填充层(330)；涂覆负光刻胶层；采用负光刻胶WEE工艺，保留晶圆边缘的负光刻胶；刻蚀去除被负光刻胶暴露的填充层(330)，其中阻挡层和填充层的刻蚀选择比大，使得阻挡层作为刻蚀阻挡层；采用CMP工艺去除残余的填充层(331)；去除阻挡层(320)。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于长江存储科技有限责任公司，未经长江存储科技有限责任公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201711140453.4/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
