[发明专利]一种3D NAND制造方法

权利要求书

1.一种用于3D NAND制造方法，包括以下步骤：

提供衬底结构，衬底结构包括衬底(300)、形成于衬底(300)上的台阶结构(310)以及覆盖台阶结构(310)的平坦化层；

在衬底结构上刻蚀形成沟槽；

通过PECVD方式沉积形成阻挡层(320)和通过高密度等离子体(HDP)在阻挡层(320)上沉积形成填充层(330)；

涂覆负光刻胶层；

采用负光刻胶WEE工艺，保留晶圆边缘的负光刻胶；

刻蚀去除被负光刻胶暴露的填充层(330)，其中阻挡层和填充层的刻蚀选择比大，使得阻挡层作为刻蚀阻挡层；刻蚀去除填充层(330)为干法刻蚀或者湿法刻蚀；

采用CMP工艺去除残余的填充层(331)；其中，阻挡层(320)还作为CMP去除残余填充层的CMP停止层；

去除阻挡层(320)。

2.如权利要求1所述的方法，其中阻挡层(320)为SiN材料。

3.如权利要求1所述的方法，其中填充层(330)为氧化硅材料。