[发明专利]半导体结构及其形成方法有效
| 申请号： | 201711120019.X | 申请日： | 2017-11-14 |
| 公开（公告）号： | CN109427870B | 公开（公告）日： | 2021-11-30 |
| 发明（设计）人： | 江国诚;王志豪;程冠伦 | 申请（专利权）人： | 台湾积体电路制造股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/10;H01L29/78;H01L21/336 |
| 代理公司： | 北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006 | 代理人： | 徐金国 |
| 地址： | 中国台湾新竹市*** | 国省代码： | 台湾;71 |
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| 摘要： | 文中描述了包含主动鳍式结构、虚设鳍式结构、磊晶层、含锗氧化层的半导体结构及其形成方法。自对准磊晶制程可通过实行含锗氧化层于鳍式场效晶体管元件的源极/漏极区域上的磊晶层表面而实现。通过实行虚拟鳍式结构以及自对准蚀刻，则可使磊晶层与邻近鳍式场效晶体管元件的金属栅极结构皆以自对准方式被分隔开。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 结构 及其 形成 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体结构，其特征在于，包含：一基材；一第一鳍式结构，自该基材突出且掺杂有n型掺杂物；一第二鳍式结构，自该基材突出，其中该第二鳍式结构的一上段是掺杂有p型掺杂物；一第一磊晶层，形成于该第一鳍式结构的一源极/漏极区域上；一第二磊晶层，形成于该第二鳍式结构的一源极/漏极区域上；一第三鳍式结构，形成于该第一鳍式结构与该第二鳍式结构之间以及该第一磊晶层与该第二磊晶层之间，其中该第三鳍式结构是以不同于该第一鳍式结构以及该第二鳍式结构的材料所形成；以及一含锗氧化层，形成于该第二磊晶层上。
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