[发明专利]半导体结构及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体结构，其特征在于，包含：

一基材；

一第一鳍式结构，自该基材突出且掺杂有n型掺杂物；

一第二鳍式结构，自该基材突出，其中该第二鳍式结构的一上段是掺杂有p型掺杂物；

一第一磊晶层，形成于该第一鳍式结构的一源极/漏极区域上；

一第二磊晶层，形成于该第二鳍式结构的一源极/漏极区域上；

一第三鳍式结构，形成于该第一鳍式结构与该第二鳍式结构之间以及该第一磊晶层与该第二磊晶层之间，其中该第三鳍式结构是以不同于该第一鳍式结构以及该第二鳍式结构的材料所形成；以及

一含锗氧化层，形成于该第二磊晶层上，其中该第一磊晶层上无该含锗氧化层覆盖。

2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该含锗氧化层与该第三鳍式结构接触。

3.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该含锗氧化层的一锗浓度介于40％与70％之间。

4.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该含锗氧化层的一厚度介于1纳米与3纳米之间。

5.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，进一步包含一介电层，该介电层形成于该基材上并设置于该第一鳍式结构与该第二鳍式结构之间，其中该介电层的一顶表面是位于该第一鳍式结构以及该第二鳍式结构中的每一者的一顶表面之下。

6.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一鳍式结构与该第二鳍式结构之间的一距离 介于25纳米与55纳米之间。

7.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第一鳍式结构、该第二鳍式结构与该第三鳍式结构中的每一者的一宽度介于5纳米与20纳米之间。

8.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，自该第三鳍式结构至该第一鳍式结构以及该第二鳍式结构中的每一者的一距离，是大于该第一鳍式结构以及该第二鳍式结构中的每一者的一宽度。

9.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，该第三鳍式结构包含氮碳化硅(SiCN)、氮碳氧化硅(SiOCN)、二氧化铪(HfO₂)、二氧化锆(ZrO₂)以及三氧化二铝(Al₂O₃)。

10.一种半导体结构的形成方法，其特征在于，包含：

形成多个第一鳍式结构突出于一基材；

掺杂n型掺杂物于所述多个第一鳍式结构的一第一部位；

掺杂p型掺杂物于所述多个第一鳍式结构的一第二部位；

形成至少一第二鳍式结构于每一所述第一鳍式结构之间；

成长一锗化硅磊晶层于所述多个第一鳍式结构的该第二部位的源极/漏极区域上；

形成一含锗氧化层于该锗化硅磊晶层上；以及

成长一硅磊晶层于所述多个第一鳍式结构的该第一部位的源极/漏极区域上，其中该硅磊晶层上无该含锗氧化层覆盖。

11.根据权利要求10所述的半导体结构的形成方法，其特征在于，形成该含锗氧化层于该锗化硅磊晶层上包含曝露该锗化硅磊晶层于氧化剂，所述氧化剂包含臭氧(ozone,O₃)、一硫酸(H₂SO₄)与过氧化氢(H₂O₂)的混合物或一氢氧化铵(NH₄OH)与H₂O₂的混合物。