[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示面板有效

专利信息
申请号: 201711056838.2 申请日: 2017-10-27
公开(公告)号: CN107731858B 公开(公告)日: 2020-05-12
发明(设计)人: 李祥远;高玟虎;姜尚勋;宋国焕;安星俊;朱艺丹 申请(专利权)人: 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司
主分类号: H01L27/12 分类号: H01L27/12;H01L21/77
代理公司: 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 代理人: 郭润湘
地址: 100015 *** 国省代码: 北京;11
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摘要: 发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示面板,由于像素电路中包括有硅薄膜晶体管和半导体氧化物薄膜晶体管,像素电路中需要较高载流子迁移率的晶体管设置为硅薄膜晶体管,需要较低载流子迁移率的晶体管可以设置为半导体氧化物薄膜晶体管,与现有相比不需要通过增加晶体管的沟道长度,因此能够在保证在不降低阵列基板分辨率的基础上实现满足像素电路所需的不同性能的薄膜晶体管的要求。并且由于半导体氧化物薄膜晶体管为顶栅结构晶体管,这样第二栅电极层可以对半导体氧化物层起遮光作用,从而改善半导体氧化物薄膜晶体管由于负偏置温度光照应激NBTIS导致的阈值电压偏移。
搜索关键词: 一种 阵列 制作方法 显示 面板
【主权项】:
一种阵列基板,包括衬底基板、位于所述衬底基板上的像素电路,其特征在于:所述像素电路中包括至少一个硅薄膜晶体管和至少一个半导体氧化物薄膜晶体管;所述硅薄膜晶体管包括第一栅电极层、第一源漏电极层和硅沟道层,所述半导体氧化物薄膜晶体管包括第二栅电极层、第二源漏电极层和半导体氧化物层;所述硅薄膜晶体管和所述半导体氧化物薄膜晶体管均为顶栅结构晶体管。
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