[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示面板有效
申请号: | 201711056838.2 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107731858B | 公开(公告)日: | 2020-05-12 |
发明(设计)人: | 李祥远;高玟虎;姜尚勋;宋国焕;安星俊;朱艺丹 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;成都京东方光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示面板,由于像素电路中包括有硅薄膜晶体管和半导体氧化物薄膜晶体管,像素电路中需要较高载流子迁移率的晶体管设置为硅薄膜晶体管,需要较低载流子迁移率的晶体管可以设置为半导体氧化物薄膜晶体管,与现有相比不需要通过增加晶体管的沟道长度,因此能够在保证在不降低阵列基板分辨率的基础上实现满足像素电路所需的不同性能的薄膜晶体管的要求。并且由于半导体氧化物薄膜晶体管为顶栅结构晶体管,这样第二栅电极层可以对半导体氧化物层起遮光作用,从而改善半导体氧化物薄膜晶体管由于负偏置温度光照应激NBTIS导致的阈值电压偏移。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 制作方法 显示 面板 | ||
【主权项】:
一种阵列基板,包括衬底基板、位于所述衬底基板上的像素电路,其特征在于:所述像素电路中包括至少一个硅薄膜晶体管和至少一个半导体氧化物薄膜晶体管;所述硅薄膜晶体管包括第一栅电极层、第一源漏电极层和硅沟道层,所述半导体氧化物薄膜晶体管包括第二栅电极层、第二源漏电极层和半导体氧化物层;所述硅薄膜晶体管和所述半导体氧化物薄膜晶体管均为顶栅结构晶体管。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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