[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示面板

权利要求书

1.一种阵列基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的像素电路，其特征在于：

所述像素电路中包括至少一个硅薄膜晶体管和至少一个半导体氧化物薄膜晶体管；

所述硅薄膜晶体管包括第一栅电极层、第一源漏电极层和硅沟道层，所述半导体氧化物薄膜晶体管包括第二栅电极层、第二源漏电极层和半导体氧化物层；

所述硅薄膜晶体管和所述半导体氧化物薄膜晶体管均为顶栅结构晶体管；

所述第一栅电极层位于所述硅沟道层的上方，所述第二栅电极层位于所述半导体氧化物层的上方；

所述第一栅电极层与所述半导体氧化物层设置在同一层；

所述第一栅电极层与所述硅沟道层之间还设置有第一绝缘层；

所述第二栅电极层与所述半导体氧化物层之间还设置有第二绝缘层，且所述第二绝缘层覆盖所述第一栅电极层和所述半导体氧化物层；

所述像素电路还包括电容结构；

其中所述第一栅电极层复用为所述电容结构的第一电极；

所述电容结构的第二电极位于所述第二绝缘层上方，且所述第二电极在所述衬底基板的正投影与所述第一电极在所述衬底基板的正投影存在重叠区域；

第一源漏电极层和所述第二源漏电极层设置为同层同材质，且第一源漏电极层和所述第二源漏电极层均位于所述第二栅电极层的上方；

所述第二栅电极层与所述第二源漏电极层之间还设置有层间介质层；

所述第一源漏电极层中的第一源极和第一漏极均通过贯穿所述层间介质层、所述第二绝缘层和所述第一绝缘层的过孔与所述硅沟道层电连接，所述第二源漏电极层中的第二源极和第二漏极均通过贯穿所述层间介质层和所述第二绝缘层的过孔与所述半导体氧化物层电连接；

所述第二电极与所述第二栅电极层设置为同层同材质，或者所述第二电极与所述第一源漏电极层设置为同层同材质；

所述半导体氧化物薄膜晶体管还包括位于所述第一绝缘层与所述第二绝缘层之间且位于所述半导体氧化物层的两侧的欧姆接触层；

所述第二源漏电极层中的第二源极和第二漏极分别通过位于所述半导体氧化物层两侧的所述欧姆接触层与所述半导体氧化物层电连接；

所述欧姆接触层与所述第一栅电极层设置为同层同材质，且所述半导体氧化物层在所述衬底基板的正投影与所述欧姆接触层在所述衬底基板的正投影部分重叠。

2.如权利要求1所述的阵列基板，其特征在于，所述欧姆接触层由部分所述半导体氧化物层进行掺杂而成。

3.一种显示面板，其特征在于，所述显示面板包括如权利要求1-2任一项所述的阵列基板。

4.一种如权利要求1-2任一项所述的阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：

在所述衬底基板上形成所述硅沟道层的图形；

形成覆盖所述硅沟道层的所述第一绝缘层；

在所述第一绝缘层上形成所述半导体氧化物层的图形和所述第一栅电极层的图形；

形覆盖所述半导体氧化物层和所述第一栅电极层的所述第二绝缘层；

在所述第二绝缘层上形成第二栅电极层的图形；

形成覆盖所述第二栅电极层的所述层间介质层；

通过一次构图工艺在所述层间介质层上形成所述第一源漏电极层的图形和所述第二源漏电极层的图形；其中，所述第一源漏电极层中的第一源极和第一漏极均通过贯穿所述层间介质层、所述第一绝缘层和所述第二绝缘层的过孔与所述硅沟道层电连接，所述第二源漏电极层中的第二源极和第二漏极均通过贯穿所述层间介质层和所述第二绝缘层的过孔与所述半导体氧化物层电连接；

当所述阵列基板中包括电容结构时，在形成所述第二栅电极层的同时形成所述电容结构的第二电极的图形，或者，在形成所述第一源漏电极层的同时形成所述电容结构的第二电极的图形。

5.如权利要求4所述的制作方法，其特征在于，当所述半导体氧化物薄膜晶体管还包括欧姆接触层时，在形成所述第一栅电极层的同时形成所述欧姆接触层的图形；或者，

在形成第二栅电极层的图形之后，在形成所述层间介质层之前，以所述第二栅电极层为掩模对所述半导体氧化物层进行掺杂形成所述欧姆接触层。