[发明专利]一种阵列基板、其制作方法及显示面板

说明书

本发明公开了一种阵列基板、其制作方法及显示面板，由于像素电路中包括有硅薄膜晶体管和半导体氧化物薄膜晶体管，像素电路中需要较高载流子迁移率的晶体管设置为硅薄膜晶体管，需要较低载流子迁移率的晶体管可以设置为半导体氧化物薄膜晶体管，与现有相比不需要通过增加晶体管的沟道长度，因此能够在保证在不降低阵列基板分辨率的基础上实现满足像素电路所需的不同性能的薄膜晶体管的要求。并且由于半导体氧化物薄膜晶体管为顶栅结构晶体管，这样第二栅电极层可以对半导体氧化物层起遮光作用，从而改善半导体氧化物薄膜晶体管由于负偏置温度光照应激NBTIS导致的阈值电压偏移。

技术领域

本发明涉及显示技术领域，尤指一种阵列基板、其制作方法及显示面板。

背景技术

在薄膜晶体管显示技术领域，与非晶硅(a-Si)薄膜晶体管相比，多晶硅(P-Si)尤其是低温多晶硅薄膜晶体管(Low Temperature Poly-silicon Thin Film Transistor，LTPS TFT)具有更高的载流子迁移率、更好的液晶特性以及较少的漏电流，已经逐渐取代非晶硅薄膜晶体管，成为薄膜晶体管的主流，而且低温多晶硅薄膜晶体管还能被用于柔性显示器以及有机发光二极管显示器上。

现有显示面板中开关薄膜晶体管(Switching Thin Film Transistor，STFT)和驱动薄膜晶体管(Driving Thin Film Transistor，DTFT)均采用高迁移率的低温多晶硅作为有源层。低温多晶硅薄膜晶体管高的载流子迁移率，能够有效的提高开关薄膜晶体管的开关特性，但是，驱动薄膜晶体管在载流子的迁移率偏大时，不利于显示器进行灰阶显示。

现有技术中，为了保证驱动薄膜晶体管对开启电压值的要求，通常是通过增加晶体管的沟道的长度来实现的，但是沟道长度的增加限制了分辨率的提高。

发明内容

有鉴于此，本发明实施例提供了一种阵列基板、其制作方法及显示面板，保证在不降低阵列基板分辨率的基础上实现满足像素电路所需的不同性能的薄膜晶体管的要求。

本发明实施例提供的一种阵列基板，包括衬底基板、位于所述衬底基板上的像素电路；

所述像素电路中包括至少一个硅薄膜晶体管和至少一个半导体氧化物薄膜晶体管；

所述硅薄膜晶体管包括第一栅电极层、第一源漏电极层和硅沟道层，所述半导体氧化物薄膜晶体管包括第二栅电极层、第二源漏电极层和半导体氧化物层；

所述硅薄膜晶体管和所述半导体氧化物薄膜晶体管均为顶栅结构晶体管。

可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述第一栅电极层位于所述硅沟道层的上方，所述第二栅电极层位于所述半导体氧化物层的上方；

所述第一栅电极层与所述半导体氧化物层设置在同一层；

所述第一栅电极层与所述硅沟道层之间还设置有第一绝缘层；

所述第二栅电极层与所述半导体氧化物层之间还设置有第二绝缘层，且所述第二绝缘层覆盖所述第一栅电极层和所述半导体氧化物层。

可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，所述像素电路还包括电容结构；

其中所述第一栅电极层复用为所述电容结构的第一电极；

所述电容结构的第二电极位于所述第二绝缘层上方，且所述第二电极在所述衬底基板的正投影与所述第一电极在所述衬底基板的正投影存在重叠区域。

可选地，在本发明实施例提供的阵列基板中，第一源漏电极层和所述第二源漏电极层设置为同层同材质，且第一源漏电极层和所述第二源漏电极层均位于所述第二栅电极层的上方；

所述第二栅电极层与所述第二源漏电极层之间还设置有层间介质层；