[发明专利]一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法在审
| 申请号： | 201711054667.X | 申请日： | 2017-11-01 |
| 公开（公告）号： | CN107932254A | 公开（公告）日： | 2018-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈铭欣;刘明章;王士玮;吴柯宏;李源萍;林永活;郑贤良 | 申请（专利权）人： | 福建晶安光电有限公司 |
| 主分类号： | B24B13/005 | 分类号： | B24B13/005 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 362411 福*** | 国省代码： | 福建;35 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法，包括如下步骤首先将超薄晶片放置在真空吸盘的表面，真空吸盘的底部且对应超薄晶片的位置开设有多个抽气孔，在真空吸盘的顶部设置真空系统，真空系统通过对真空吸盘表面的多个抽气孔进行抽真空，使超薄晶片吸附在真空吸盘的底部。本发明较传统的吸附垫夹持方式，可以大幅增加加工压力，提升抛光效率，并且可以克服传统的双抛、上蜡以及吸附垫夹持加工方式无法达到＜200um的工艺水准，本发明可以将晶片薄化到＜50um，且保证表面平坦度可达5mm2＜0.5um，PLTV＞95％的水准，解决了传统加工工艺无法达到钽酸锂(LiTaO3；LT)晶片厚度＜200um，且平坦度在5mm2＜0.5um，PLTV＞95％稳定产品品质要求的问题。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 超薄 平坦 加工 夹持 方法 | ||
【主权项】：
一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法，其特征在于：包括如下步骤：首先将超薄晶片放置在真空吸盘的表面，真空吸盘的底部且对应超薄晶片的位置开设有多个抽气孔，在真空吸盘的顶部设置真空系统，真空系统通过对真空吸盘表面的多个抽气孔进行抽真空，使超薄晶片吸附在真空吸盘的底部。
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