[发明专利]一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法

权利要求书

1.一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法，其特征在于：包括如下步骤：首先将超薄晶片放置在真空吸盘的表面，真空吸盘的底部且对应超薄晶片的位置开设有多个抽气孔，在真空吸盘的顶部设置真空系统，真空系统通过对真空吸盘表面的多个抽气孔进行抽真空，使超薄晶片吸附在真空吸盘的底部。

2.根据权利要求1所述的一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法，其特征在于：所述真空吸盘材质为陶瓷材料，用以避免研抛时高度的压力、温度对真空吸盘造成形变，确保超薄晶片加工后平坦度。

3.根据权利要求1所述的一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法，其特征在于：所述真空系统在超薄晶片抛光过程中要持续运行，且真空系统产生的吸附力需大于晶片加工时摩擦所承受的侧向力。

4.根据权利要求1所述的一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法，其特征在于：所述真空吸盘的顶部设置有一个真空室，真空系统通过真空室对抽气孔进行抽真空。

5.根据权利要求4所述的一种超薄晶圆平坦化加工夹持的方法，其特征在于：所述真空室的顶部设置有气囊，气囊与真空吸盘之间形成真空室，气囊的顶部连通有充气管，真空室的顶部连通有抽气管，气囊通过充气管进行充气，真空系统通过抽气管对真空室进行抽真空。