[发明专利]用于手环的MicroLED显示模块制作方法

摘要

本发明提供一种用于手环的MicroLED显示模块制作方法，所述制作方法步骤依次包括：形成LED外延片；暴露N‑GaN层部分上表面；制作反射层；制作列电极绝缘层，暴露列电极电流通孔区域下的反射层；制作列电极层，所述列电极层与列电极电流通孔连接；制备行电极绝缘层；暴露行电极电流通孔区域下的N‑GaN层；制作行电极层，所述行电极层与行电极电流通孔连接；利用激光技术将晶圆上的器件进行切割，并利用裂片技术将芯片分离，形成独立的器件单元；利用倒装焊技术，将上述加工的显示芯片单元，与贴装有SSD1306 IC的柔性线路板的行列电极连接。本发明利用MicroLED技术，制作微型显示阵列，利用PM IC驱动，直接对微型显示阵列驱动，替代OLED屏幕，减少屏幕模组的能耗，提高待机时间。

主权项

1.一种用于手环的MicroLED显示模块制作方法，包括：使N-GaN层、量子阱和P-GaN层依次自下而上生长在蓝宝石衬底上形成LED外延片；其特征在于，所述方法还包括以下步骤：/n步骤一：利用正性光刻胶和SiO₂双层掩膜技术和ICP刻蚀技术，刻蚀除去N-GaN层上表面需要外露的区域，使得需要外露的N-GaN层上表面部分外露；/n步骤二：利用负性光刻胶掩膜技术，在P-GaN层制作反射层的图形；通过电子束蒸镀或磁控溅射技术在反射层图形上表面形成反射层；/n步骤三：利用PECVD或者磁控溅射技术，在所述反射层上表面和N-GaN层上表面制备列电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在反射层上表面位置处的列电极绝缘层的上表面制作列电极电流通孔的图形，并利用HF溶液刻蚀列电极电流通孔图形区域的列电极绝缘层，暴露列电极电流通孔区域下的反射层；/n步骤四：利用负性光刻胶掩膜技术，制作列电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备在列电极层图形上表面制作列电极层，所述列电极层与列电极电流通孔连接；/n步骤五：利用PECVD或者磁控溅射技术，在列电极绝缘层上表面制备行电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在N-GaN层上表面位置处的行电极绝缘层的上表面制作行电极电流通孔的图形，刻蚀行电极电流通孔图形区域的行电极绝缘层，暴露行电极电流通孔区域下的N-GaN层；/n步骤六：利用负性光刻胶掩膜技术，制作行电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备制作行电极层，所述行电极层与行电极电流通孔连接；/n步骤七：利用减薄、研磨设备将晶圆减薄到100~200μ m；/n步骤八：利用激光技术将晶圆上的器件进行切割，并利用裂片技术将芯片分离，形成独立的器件单元；/n步骤九：利用倒装焊技术，将步骤八得到的显示芯片单元，与贴装有SSD1306 IC的柔性线路板的行列电极连接。/n