[发明专利]用于手环的MicroLED显示模块制作方法

权利要求书

1.一种用于手环的MicroLED显示模块制作方法，包括：使N-GaN层、量子阱和P-GaN层依次自下而上生长在蓝宝石衬底上形成LED外延片；其特征在于，所述方法还包括以下步骤：

步骤一：利用正性光刻胶和SiO₂双层掩膜技术和ICP刻蚀技术，刻蚀除去N-GaN层上表面需要外露的区域，使得需要外露的N-GaN层上表面部分外露；

步骤二：利用负性光刻胶掩膜技术，在P-GaN层制作反射层的图形；通过电子束蒸镀或磁控溅射技术在反射层图形上表面形成反射层；

步骤三：利用PECVD或者磁控溅射技术，在所述反射层上表面和N-GaN层上表面制备列电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在反射层上表面位置处的列电极绝缘层的上表面制作列电极电流通孔的图形，并利用HF溶液刻蚀列电极电流通孔图形区域的列电极绝缘层，暴露列电极电流通孔区域下的反射层；

步骤四：利用负性光刻胶掩膜技术，制作列电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备在列电极层图形上表面制作列电极层，所述列电极层与列电极电流通孔连接；

步骤五：利用PECVD或者磁控溅射技术，在列电极绝缘层上表面制备行电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在N-GaN层上表面位置处的行电极绝缘层的上表面制作行电极电流通孔的图形，刻蚀行电极电流通孔图形区域的行电极绝缘层，暴露行电极电流通孔区域下的N-GaN层；

步骤六：利用负性光刻胶掩膜技术，制作行电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备制作行电极层，所述行电极层与行电极电流通孔连接；

步骤七：利用减薄、研磨设备将晶圆减薄到100~200μ m；

步骤八：利用激光技术将晶圆上的器件进行切割，并利用裂片技术将芯片分离，形成独立的器件单元；

步骤九：利用倒装焊技术，将步骤八得到的显示芯片单元，与贴装有SSD1306 IC的柔性线路板的行列电极连接。

2.如权利要求1所述用于手环的MicroLED显示模块制作方法，其特征在于，步骤一中通过ICP刻蚀技术刻蚀深度为1~1.5μ m。

3.如权利要求1所述用于手环的MicroLED显示模块制作方法，其特征在于，所述反射层采用高反射率的金属材料，反射层的厚度为100~500nm。

4.如权利要求1所述用于手环的MicroLED显示模块制作方法，其特征在于，所述列电极绝缘层和行电极绝缘层的厚度为100~2000nm，所述绝缘层的材料采用Si₃N₄或SiO₂。