[发明专利]用于手环的MicroLED显示模块制作方法

说明书

本发明提供一种用于手环的MicroLED显示模块制作方法，所述制作方法步骤依次包括：形成LED外延片；暴露N‑GaN层部分上表面；制作反射层；制作列电极绝缘层，暴露列电极电流通孔区域下的反射层；制作列电极层，所述列电极层与列电极电流通孔连接；制备行电极绝缘层；暴露行电极电流通孔区域下的N‑GaN层；制作行电极层，所述行电极层与行电极电流通孔连接；利用激光技术将晶圆上的器件进行切割，并利用裂片技术将芯片分离，形成独立的器件单元；利用倒装焊技术，将上述加工的显示芯片单元，与贴装有SSD1306 IC的柔性线路板的行列电极连接。本发明利用MicroLED技术，制作微型显示阵列，利用PM IC驱动，直接对微型显示阵列驱动，替代OLED屏幕，减少屏幕模组的能耗，提高待机时间。

技术领域

本发明涉及液晶显示模块技术领域，具体涉及一种用于手环的MicroLED显示模块制作方法。

背景技术

运动手环已成为大众消费品，大多数的手环采用的是OLED屏幕，由于OLED屏幕能耗较大，因此使得手环的待机时间一般只能持续：3~7天，且OLED发光效率低，显示亮度低，在户外强光下，很难识别屏幕内容；

近年来MicroLED技术的日渐发展起来，MicroLED即LED微缩化和矩阵化技术，指的是在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED阵列即LED微缩化和矩阵化技术，由于能够将独立的红色、绿色和蓝色子像素作为独立可控光源，能行成高对比度，宽示角的显示器，因此基于MicroLED的运动手环已成为大众消费品，但是用于手环的MicroLED显示模块的制作工艺仍不成熟。

发明内容

为了解决现有技术中存在的问题，本发明提供一种手环的MicroLED显示模块制作方法，此种MicroLED显示模块制作方法能够使得MicroLED显示模块的工作电流更低，亮度更高，有利于降低手环的能耗，提高待机时间。

根据本发明提供的技术方案，一种用于手环的MicroLED显示模块制作方法，包括：使N-GaN层、量子阱和P-GaN层依次自下而上生长在蓝宝石衬底上形成LED外延片；所述方法还包括以下步骤：

步骤一：利用正性光刻胶和SiO2双层掩膜技术和ICP刻蚀技术，刻蚀除去N-GaN层上表面需要外露的区域，使得需要外露的N-GaN层上表面部分外露；

步骤二：利用负性光刻胶掩膜技术，制作反射层的图形；通过电子束蒸镀或磁控溅射技术在反射层图形上表面制作形成反射层；

步骤三：利用PECVD或者磁控溅射技术，制备列电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在列电极绝缘层的上表面制作列电极电流通孔的图形，并利用HF溶液刻蚀列电极电流通孔图形区域的列电极绝缘层，暴露列电极电流通孔区域下的反射层；

步骤四：利用负性光刻胶掩膜技术，制作列电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备在列电极层图形上表面制作列电极层，所述列电极层与列电极电流通孔连接；

步骤五：利用PECVD或者磁控溅射技术，制备行电极绝缘层；利用正性光刻胶掩膜技术，在行电极绝缘层的上表面制作行电极电流通孔的图形，刻蚀行电极电流通孔图形区域的行电极绝缘层，暴露行电极电流通孔区域下的N-GaN层；

步骤六：利用负性光刻胶掩膜技术，制作行电极层图形，并通过电子束蒸发设备和热阻蒸发设备制作行电极层，所述行电极层与行电极电流通孔连接；

步骤七：利用减薄、研磨设备将晶圆减薄到100~200um；

步骤八：利用激光技术将晶圆上的器件进行切割，并利用裂片技术将芯片分离，形成独立的器件单元；

步骤九：利用倒装焊技术，将上述加工的显示芯片单元，与贴装有SSD1306 IC的柔性线路板的行列电极连接。

进一步地，步骤一中通过ICP刻蚀技术刻蚀深度为1~1.5um。