[发明专利]光电二极管及其形成方法、图像传感器、指纹成像模组在审
申请号: | 201711037795.3 | 申请日: | 2017-10-30 |
公开(公告)号: | CN109728127A | 公开(公告)日: | 2019-05-07 |
发明(设计)人: | 曲志刚;朱虹 | 申请(专利权)人: | 上海箩箕技术有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/105;H01L31/0224;H01L27/146 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 高磊;吴敏 |
地址: | 201203 上海市浦东新区中国(上海*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 一种光电二极管及其形成方法、图像传感器、指纹成像模组,光电二极管的形成方法包括:提供衬底;在所述衬底上形成多个支撑件,所述多个支撑件分布于所述衬底表面;在所述衬底和所述多个支撑件上形成感光层。通过所述多个支撑件的形成,以形成具有凹凸表面的感光层,从而降低所述感光层表面反射的损耗,增大所述感光层吸收光线的面积,在不增大开口尺寸的前提下,达到提高所形成光电二极管的光采集能力,改善图像质量的目的。 | ||
搜索关键词: | 光电二极管 支撑件 感光层 衬底 图像传感器 指纹成像 模组 感光层表面 凹凸表面 衬底表面 光采集 反射 开口 图像 吸收 | ||
【主权项】:
1.一种光电二极管的形成方法,其特征在于,包括:提供衬底;在所述衬底上形成多个支撑件,所述多个支撑件分布于所述衬底表面;在所述衬底和所述多个支撑件上形成感光层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海箩箕技术有限公司,未经上海箩箕技术有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201711037795.3/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:非晶硅薄膜电池组件全封闭传输装置
- 下一篇:硅锗集成光探测器及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的