[发明专利]光电二极管及其形成方法、图像传感器、指纹成像模组

权利要求书

1.一种光电二极管的形成方法，其特征在于，包括：

提供衬底；

在所述衬底上形成多个支撑件，所述多个支撑件分布于所述衬底表面；

在所述衬底和所述多个支撑件上形成感光层。

2.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述支撑件的宽度大于或等于1μm。

3.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述支撑件的间距大于或等于1μm。

4.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述支撑件具有朝向所述感光层凸起的支撑面，所述支撑面为曲面。

5.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述支撑件具有朝向所述衬底的第一面、与所述第一面相对的第二面以及连接所述第一面和第二面的第三面。

6.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，平行所述衬底表面的平面内，所述支撑件呈长条状；

垂直所述支撑件延伸方向的平面，所述支撑件的截面形状为方形、梯形或三角形。

7.如权利要求5所述的形成方法，其特征在于，所述支撑件的高度小于或等于所述感光层厚度的2倍。

8.如权利要求1或7所述的形成方法，其特征在于，所述感光层的厚度小于或等于1.1μm；所述支撑件的高度小于2.2μm。

9.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成保形覆盖于所述衬底和所述多个支撑件上的所述感光层。

10.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述多个支撑件的步骤包括：

在所述衬底上形成凸起材料层；

通过掩膜刻蚀的方式去除部分所述凸起材料层以形成所述支撑件。

11.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述多个支撑件之后，形成所述感光层之前，还包括：

形成底电极，所述底电极位于所述衬底和所述多个支撑件上；

在所述底电极上形成所述感光层。

12.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述底电极的厚度小于或等于所述支撑件高度的1/2。

13.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，通过原子层沉积的方式形成所述底电极。

14.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，形成所述感光层之后，还包括：

在所述感光层上形成顶电极和位于所述顶电极上的偏压导电层；

在所述偏压导电层上形成保护层。

15.如权利要求1所述的形成方法，其特征在于，所述感光层的材料为掺杂的非晶硅。

16.如权利要求1或15所述的形成方法，其特征在于，所述光电二极管为非晶硅PIN光电二极管。

17.一种光电二极管，其特征在于，包括：

衬底；

多个支撑件，所述多个支撑件分布于所述衬底表面；

感光层，所述感光层位于所述衬底和所述多个支撑件上。

18.如权利要求17所述的光电二极管，其特征在于，所述支撑件的宽度大于或等于1μm。

19.如权利要求17所述的光电二极管，其特征在于，所述支撑件的间距大于或等于1μm。

20.如权利要求17所述的光电二极管，其特征在于，所述支撑件具有朝向所述感光层凸起的支撑面，所述支撑面为曲面。