[发明专利]一种阵列基板的制备方法和阵列基板有效
申请号: | 201711023111.4 | 申请日: | 2017-10-27 |
公开(公告)号: | CN107785308B | 公开(公告)日: | 2021-03-30 |
发明(设计)人: | 苏同上;刘军;王东方;周斌;程磊磊;成军;王庆贺;鲍俊;袁广才 | 申请(专利权)人: | 合肥鑫晟光电科技有限公司;京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/77 | 分类号: | H01L21/77;H01L27/12 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 刘悦晗;陈源 |
地址: | 230012 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本发明提供一种阵列基板的制备方法和阵列基板,所述阵列基板的制备方法包括:先利用第一掩膜图形通过刻蚀工艺对金属薄膜进行第一次刻蚀,再利用第二掩膜图形通过刻蚀工艺对金属薄膜进行第二次刻蚀,以形成金属图形,且第二掩膜图形的宽度小于第一掩膜图形的宽度。本发明提供阵列基板的制备方法可以减小掩膜图形对刻蚀液的遮挡作用,从而可以减小金属图形的坡度角,在后续阵列基板的制作过程中可以提高沉积在金属图形的边缘位置上的绝缘层的厚度,进而避免金属图形的边缘位置发生静电击穿,提高阵列基板的良率,而且,上述阵列基板的制备方法工艺简单、成本较低、制备时间较短。 | ||
搜索关键词: | 一种 阵列 制备 方法 | ||
【主权项】:
一种阵列基板的制备方法,其特征在于,所述方法包括:在基底上沉积金属薄膜;通过光刻工艺在形成有所述金属薄膜的基底上形成第一掩膜图形;利用所述第一掩膜图形,通过刻蚀工艺去除部分所述金属薄膜,以减小未被所述第一掩膜图形覆盖的金属薄膜的厚度;减小所述第一掩膜图形的宽度,以形成第二掩膜图形;利用所述第二掩膜图形,通过刻蚀工艺形成金属图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
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H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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