[发明专利]一种半导体封装结构及其制造方法有效
| 申请号： | 201711004001.3 | 申请日： | 2017-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN109698170B | 公开（公告）日： | 2021-03-12 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 长鑫存储技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L23/498;H01L21/56 |
| 代理公司： | 北京市铸成律师事务所 11313 | 代理人： | 张臻贤;李够生 |
| 地址： | 230000 安徽省合肥市*** | 国省代码： | 安徽;34 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种半导体封装结构及其制造方法，封装结构包括具有重布线结构的底封装体，芯片设置在重布线结构的第一安装面；电磁干扰屏蔽结构的容纳腔室与重布线结构的第一安装面连接；在容纳腔室内侧顶壁和芯片间设置热传导层。制造方法包括在载体表面沉积重布线结构；将电磁干扰屏蔽框与第一安装面连接，芯片放置在电磁干扰屏蔽框中，将端子植设第一安装面；芯片上涂覆热传导层；形成塑封体在重布线结构的第一安装面；在塑封体的上表面溅射金属层；对塑封体钻孔暴露端子。封装结构通过电磁干扰屏蔽结构和热传导层实现芯片的散热，并且屏蔽各元器件间电磁信号干扰。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体 封装 结构 及其 制造 方法 | ||
【主权项】：
1.一种半导体封装结构，其特征在于，包括底封装体，所述底封装体主要由重布线结构、电磁干扰屏蔽结构和芯片组成；所述重布线结构具有第一安装面，所述电磁干扰屏蔽结构设置在所述第一安装面上，所述电磁干扰屏蔽结构的内部具有容纳腔室，所述芯片位于所述容纳腔室中且与所述第一安装面连接；在所述芯片背离所述重布线结构的第一表面与所述容纳腔室的内侧端面之间设置有热传导层，用于将所述芯片的热量传递至所述电磁干扰屏蔽结构。
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