[发明专利]堆叠封装结构的制造方法在审
| 申请号: | 201710984049.9 | 申请日: | 2017-10-20 |
| 公开(公告)号: | CN107978566A | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
| 发明(设计)人: | 王启安;徐宏欣 | 申请(专利权)人: | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L25/065;H01L25/18;H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 马雯雯,臧建明 |
| 地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
| 权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
| 摘要: | 本发明提供一种堆叠封装结构的制造方法,其包含至少以下步骤。形成第一封装结构且在第一封装结构上形成第二封装结构。第一封装结构包含电路载体以及设置于电路载体上的晶粒。形成第一封装结构包含在电路载体上提供导电中介板,通过密封体密封导电中介板,以及移除密封体和导电中介板的板的一部分。导电中介板包含板体、从板体分别延伸到电路载体和晶粒的多个导电柱以及导电突起。导电突起设置于晶粒上,且导电柱电性连接到电路载体。第二封装结构通过导电中介板电性连接到第一封装结构。 | ||
| 搜索关键词: | 堆叠 封装 结构 制造 方法 | ||
【主权项】:
一种堆叠封装结构的制造方法,其特征在于,包括:形成第一封装结构,其中所述第一封装结构包括电路载体以及设置于所述电路载体上的晶粒,形成所述第一封装结构包括:在所述电路载体上提供导电中介板,其中所述导电中介板包括板体、从所述板体分别延伸到所述电路载体和所述晶粒的多个导电柱以及导电突起,所述导电突起设置于所述晶粒上,且所述导电柱电性连接到所述电路载体;通过密封体密封所述导电中介板;以及移除所述密封体的一部分和所述导电中介板的所述板体;以及在所述第一封装结构上形成第二封装结构,其中所述第二封装结构通过所述导电中介板电性连接到所述第一封装结构。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于力成科技股份有限公司,未经力成科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201710984049.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种半导体器件及其制造方法和电子装置
- 下一篇:一种三维陶瓷基板及其制备方法
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造





