[发明专利]堆叠封装结构的制造方法在审
| 申请号: | 201710984049.9 | 申请日: | 2017-10-20 |
| 公开(公告)号: | CN107978566A | 公开(公告)日: | 2018-05-01 |
| 发明(设计)人: | 王启安;徐宏欣 | 申请(专利权)人: | 力成科技股份有限公司 |
| 主分类号: | H01L21/98 | 分类号: | H01L21/98;H01L25/065;H01L25/18;H01L23/31;H01L23/367 |
| 代理公司: | 北京同立钧成知识产权代理有限公司11205 | 代理人: | 马雯雯,臧建明 |
| 地址: | 中国台湾新竹县*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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| 摘要: | |||
| 搜索关键词: | 堆叠 封装 结构 制造 方法 | ||
1.一种堆叠封装结构的制造方法,其特征在于,包括:
形成第一封装结构,其中所述第一封装结构包括电路载体以及设置于所述电路载体上的晶粒,形成所述第一封装结构包括:
在所述电路载体上提供导电中介板,其中所述导电中介板包括板体、从所述板体分别延伸到所述电路载体和所述晶粒的多个导电柱以及导电突起,所述导电突起设置于所述晶粒上,且所述导电柱电性连接到所述电路载体;
通过密封体密封所述导电中介板;以及
移除所述密封体的一部分和所述导电中介板的所述板体;以及
在所述第一封装结构上形成第二封装结构,其中所述第二封装结构通过所述导电中介板电性连接到所述第一封装结构。
2.根据权利要求1所述的堆叠封装结构的制造方法,其特征在于,在所述电路载体上提供所述导电中介板之后,所述导电突起在所述电路载体上的正投影面积与所述晶粒在所述电路载体上的正投影面积重叠。
3.根据权利要求1所述的堆叠封装结构的制造方法,其特征在于,在移除所述密封体的所述部分和所述导电中介板的所述板体之后,所述密封体至少暴露出所述导电柱中的每一者的顶部表面以及所述导电突起的顶部表面。
4.根据权利要求3所述的堆叠封装结构的制造方法,其特征在于,所述导电突起的厚度小于所述导电柱中的每一者的高度,在移除所述密封体的所述部分和所述导电中介板的所述板体之后,所述导电柱中的每一者的所述顶部表面与所述导电突起的所述顶部表面共面。
5.根据权利要求3所述的堆叠封装结构的制造方法,其特征在于,在移除所述密封体的所述部分和所述导电中介板的所述板体之后,在所述导电突起的所述顶部表面上形成导热界面材料,所述第二封装结构包括设置于所述导电柱上的多个导电端子,在所述第一封装结构上形成所述第二封装之后,所述导电端子中的每一者的高度等于所述导热界面材料的厚度。
6.一种堆叠封装结构的制造方法,其特征在于,包括:
形成第一封装结构,其中所述第一封装结构包括电路载体以及设置于所述电路载体上的晶粒,形成所述第一封装结构包括:
在所述电路载体上提供导电中介板,其中所述导电中介板包括晶粒定位区,所述晶粒定位区在所述电路载体上的正投影面积等于所述晶粒在所述电路载体上的正投影面积;
通过密封体密封所述导电中介板;以及
移除所述密封体的一部分以及所述导电中介板的一部分,其中所述密封体暴露出所述导电中介板的表面;以及
在所述第一封装结构上形成第二封装结构,其中所述第二封装结构通过所述导电中介板电性连接到所述第一封装结构。
7.根据权利要求6所述的堆叠封装结构的制造方法,其特征在于,所述导电中介板包括位于所述晶粒定位区中的导电突起以及围绕所述导电突起的多个导电柱,在所述电路载体上提供所述导电中介板之后,所述导电柱电性连接到所述电路载体且所述导电突起设置于所述晶粒上。
8.根据权利要求7所述的堆叠封装结构的制造方法,其特征在于,所述导电突起的厚度小于所述导电柱中的每一者的高度,在移除所述密封体的所述部分和所述导电中介板的所述板体的所述部分之后,所述密封体至少暴露出所述导电柱中的每一者的顶部表面以及所述导电突起的顶部表面。
9.根据权利要求6所述的堆叠封装结构的制造方法,其特征在于,所述导电中介板包括板体以及多个导电柱,所述晶粒定位区包括形成于所述板体处的对准窗口,且所述导电柱形成于所述板体上并围绕所述晶粒定位区,在所述电路载体上提供所述导电中介板之后,所述对准窗口与所述晶粒对准且至少暴露出所述晶粒的边缘。
10.根据权利要求9所述的堆叠封装结构的制造方法,其特征在于,所述晶粒通过多根导电线电性连接到所述电路载体,在移除所述密封体的所述部分以及所述导电中介板的所述部分之前,所述导电中介板的高度大于所述导电线中的每一者的线弧高度。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
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