[发明专利]3D NAND闪存的存储器系统及其操作方法有效
| 申请号： | 201710967206.5 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107958686B | 公开（公告）日： | 2021-06-15 |
| 发明（设计）人： | 蔡宇;李海波;张帆;李濬 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/10 | 分类号： | G11C16/10;G11C16/08;G11C16/26 |
| 代理公司： | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人： | 张晶;王莹 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本发明涉及一种存储器系统的设备及其操作方法，其中存储器系统的设备包括：存储块，每个存储块包括串，每个串具有闪存单元及其上的选择栅，其中在每个存储块中的具有相同索引号的串的每个的选择栅彼此连接，在每个存储块中，串被划分成组，每个组包括至少一个串，并且每个组具有其自身的读取计数管理。 | ||
| 搜索关键词： | nand 闪存 存储器 系统 及其 操作方法 | ||
【主权项】：
一种存储器系统的设备，其包括：存储块，每个所述存储块包括串，每个所述串具有闪存单元及其上的选择栅，其中在每个所述存储块中具有相同索引号的每个所述串的选择栅彼此连接，在每个所述存储块中，所述串被划分成组，每个所述组包括至少一个串，并且每个所述组具有其自身的读取计数管理。
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