[发明专利]3D NAND闪存的存储器系统及其操作方法有效
申请号: | 201710967206.5 | 申请日: | 2017-10-17 |
公开(公告)号: | CN107958686B | 公开(公告)日: | 2021-06-15 |
发明(设计)人: | 蔡宇;李海波;张帆;李濬 | 申请(专利权)人: | 爱思开海力士有限公司 |
主分类号: | G11C16/10 | 分类号: | G11C16/10;G11C16/08;G11C16/26 |
代理公司: | 北京路浩知识产权代理有限公司 11002 | 代理人: | 张晶;王莹 |
地址: | 韩国*** | 国省代码: | 暂无信息 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | nand 闪存 存储器 系统 及其 操作方法 | ||
1.一种存储器系统的设备,其包括:
存储块,每个所述存储块包括串,每个所述串具有闪存单元及其上的选择栅,其中
在每个所述存储块中具有相同索引号的每个所述串的选择栅彼此连接,
在每个所述存储块中,所述串被划分成组,每个所述组包括至少一个串,并且
每个所述组具有其自身的读取计数管理,
其中每个所述存储块中的所述组包括至少一个组作为数据读取组,并且所述组的其余组为升压组,包括至少一个读取串的至少一个所述数据读取组被接通用于读取操作,同时在相同存储块中的包括除所述读取串以外的所有其他串的所述升压组被断开用于升压。
2.根据权利要求1所述的设备,其中所述升压组被选择用于写入新数据。
3.根据权利要求1所述的设备,其中沿着每个所述串对所述闪存单元进行编程,在完成对前一串的编程后对随后的串进行编程。
4.根据权利要求1所述的设备,其中所述选择栅包括源极侧选择栅和漏极侧选择栅。
5.根据权利要求4所述的设备,其中横跨一个所述组内的每个所述串,从所述源极侧选择栅至所述漏极侧选择栅对所述闪存单元进行编程。
6.根据权利要求4所述的设备,其中每个所述存储块的每个所述组中的所述源极侧选择栅共享相同的栅极信号和相同的源极信号。
7.根据权利要求1所述的设备,其中每个所述组的所述读取计数管理包括记录每个所述组的读取计数。
8.根据权利要求1所述的设备,其中每个所述组的所述读取计数管理包括当其读取计数大于阈值时重新定位组的数据。
9.一种存储器系统的操作方法,其包括:
排列存储块,每个所述存储块包括串,每个所述串具有闪存单元及其上的选择栅;
将每个所述存储块中具有相同索引号的每个所述串的选择栅彼此连接;
在每个所述存储块中,将所述串划分成组,每个所述组包括至少一个串;
对所述闪存单元进行编程;以及
对每个所述组执行读取计数管理,
其中将所述串划分成组包括将所述串划分成包括至少一个组作为数据读取组,而其余组作为升压组的组,包括至少一个读取串的至少一个所述数据读取组被接通用于读取操作,同时在相同存储块中的包括除所述读取串以外的所有其他串的所述升压组被断开用于升压。
10.根据权利要求9所述的方法,其中将所述串划分成组包括将所述串划分成包括被选择用于写入新数据的所述升压组的组。
11.根据权利要求9所述的方法,其中对所述闪存单元进行编程包括沿着每个所述串对所述闪存单元进行编程,在完成对前一串的编程后对随后的串进行编程。
12.根据权利要求9所述的方法,其中排列具有选择栅的所述存储块包括排列具有源极侧选择栅和漏极侧选择栅的所述存储块。
13.根据权利要求12所述的方法,其中对所述闪存单元进行编程包括横跨一个所述组内的每个所述串,从所述源极侧选择栅至所述漏极侧选择栅对所述闪存单元进行编程。
14.根据权利要求12所述的方法,其中排列具有选择栅的所述存储块包括排列具有共享相同的栅极信号和相同的源极信号的每个所述存储块的每个所述组中的源极侧选择栅的所述存储块。
15.根据权利要求9所述的方法,其中对每个所述组执行读取计数管理包括记录每个所述组的读取计数。
16.根据权利要求9所述的方法,其中对每个所述组执行读取计数管理包括当组的读取计数大于阈值时重新定位组的数据。
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