[发明专利]3D NAND闪存的存储器系统及其操作方法

说明书

本发明涉及一种存储器系统的设备及其操作方法，其中存储器系统的设备包括：存储块，每个存储块包括串，每个串具有闪存单元及其上的选择栅，其中在每个存储块中的具有相同索引号的串的每个的选择栅彼此连接，在每个存储块中，串被划分成组，每个组包括至少一个串，并且每个组具有其自身的读取计数管理。

相关申请的交叉引用

本申请要求于2016年10月17日提交的申请号为62/409,222，题为“3D NAND闪速存储器中具有最小交叉串读取干扰的电路及编程方案(CIRCUITS AND PROGRAM SCHEMESWITH MINIMIZED CROSS-STRING READ DISTURB IN 3D NAND FLASH MEMORY)”的美国临时专利申请的优先权，其通过引用并入本文以用于所有目的。

技术领域

本发明的示例性实施例涉及一种半导体存储器存储系统的设备，更特别地，涉及NAND性能增强及其操作方法。

背景技术

计算机环境范例已经变为可在任何时间和任何地点使用的普适计算系统。由于这个事实，诸如移动电话、数码相机和笔记本计算机的便携式电子装置的使用已经迅速增加。这些便携式电子装置通常使用具有存储器装置的存储器系统，即数据存储装置。数据存储装置用作便携式电子装置的主存储器装置或辅助存储器装置。因此，诸如存储器系统的数字数据存储器的可靠性和性能至关重要。

使用存储器装置的数据存储装置因其不具有移动部件而提供优良的稳定性、耐用性、高信息存取速度以及低功耗。具有这种优点的数据存储装置的示例包括通用串行总线(USB)存储器装置、具有各种接口的存储卡以及固态驱动器(SSD)。

SSD可以包括各种闪速存储器部件。闪速存储器部件的两种主要类型以NAND和NOR逻辑门命名。单个闪速存储器单元展现出与相应的门类似的内部特性。NAND型闪速存储器可以以通常比整个装置小得多的块(或页面)来写入和读取。NAND型主要在存储卡、USB闪存驱动器、固态驱动器和类似产品中操作以用于数据的一般存储和传输。

高的性能和可靠性始终是任何存储解决方案非常重要的部分。减少磁盘的错误特别重要。

因此，仍然需要一种减小了错误的半导体存储器系统及其操作方法。鉴于对提高性能和可靠性的需求不断增加，找到这些问题的答案也越发关键。虽然一直在寻求这些问题的解决方案，但是先前的研究没有教导或提出任何解决方案，因此长期以来，这些问题的解决方案一直困惑着本领域的技术人员。

发明内容

本公开的实施例涉及一种能够提高存储器系统的性能和可靠性的半导体存储器系统及其操作方法。

根据本公开的实施例，提供了一种存储器系统的设备，其包括：存储块，每个存储块包括串，每个串具有闪存单元及其上的选择栅，其中在每个存储块中的具有相同索引号的串的每个的选择栅彼此连接，在每个存储块中，串被划分成组，每个组包括至少一个串，并且每个组具有其自身的读取计数管理。

根据本公开的实施例，提供了一种存储器系统的操作方法，其包括：排列存储块，每个存储块包括串，每个串具有闪存单元及其上的选择栅；将每个存储块中的具有相同索引号的串的每个的选择栅彼此连接；在每个存储块中，将串划分成组，每个组包括至少一个串；对闪存单元进行编程；以及对每个组执行读取计数管理。

附图说明

图1是示意性说明根据本发明的实施例的3D半导体存储器系统的简图。

图2是示意性说明根据本发明的实施例的半导体存储器系统的升压通道的简图。

图3是示意性说明根据本发明的实施例的半导体存储器系统的升压通道的简图。

图4是说明根据本发明的实施例的半导体存储器系统的升压通道和接地通道的读取干扰比较的简图。