[发明专利]半导体存储装置有效
| 申请号： | 201710966396.9 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107993688B | 公开（公告）日： | 2021-04-27 |
| 发明（设计）人： | 郑想勋 | 申请（专利权）人： | 爱思开海力士有限公司 |
| 主分类号： | G11C16/26 | 分类号： | G11C16/26;G11C16/12 |
| 代理公司： | 北京弘权知识产权代理有限公司 11363 | 代理人： | 李少丹;许伟群 |
| 地址： | 韩国*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | 本技术的半导体存储装置包括：电流吸收电路，其被配置为在读取操作中允许流过存储单元的电流的一部分流至负电压端子；以及感测放大器，其被配置为在读操作中响应于感测放大器使能信号来检测存储单元的数据并且输出检测结果。电流吸收电路响应于感测放大器使能信号而改变流至负电压端子的电流量。 | ||
| 搜索关键词： | 半导体 存储 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体存储装置，包括：电流吸收电路，其被配置为在读取操作中允许流过存储单元的电流的一部分流至负电压端子；以及感测放大器，其被配置为在读取操作中响应于感测放大器使能信号来检测存储单元的数据并且输出检测结果；其中，电流吸收电路响应于感测放大器使能信号而改变流至负电压端子的电流量。
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