[发明专利]半导体存储装置

权利要求书

1.一种半导体存储装置，包括：

感测放大器，其被配置为在读取操作中响应于感测放大器使能信号来检测存储单元的数据并且输出检测结果；以及

电流吸收电路，其被配置为在读取操作中根据偏置电压来允许流过存储单元的电流流至负电压端子，并且响应于所述感测放大器使能信号改变流至所述负电压端子的电流量,

其中，在读取操作中，电流吸收电路、感测放大器和存储单元共同耦接至检测节点。

2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其中，在读取操作中流过存储单元的电流通过检测节点被传输到电流吸收电路，被传输的电流的一部分通过电流吸收电路流至负电压端子，以及感测放大器检测检测节点的电压电平并且输出检测结果。

3.根据权利要求2所述的半导体存储装置，其中，电流吸收电路包括：

固定吸收电路，其被配置为响应于偏置电压的电压电平来允许从检测节点流入电流吸收电路的电流的第一固定量电流流至负电压端子；以及

可变吸收电路，其被配置为响应于感测放大器使能信号来允许从检测节点流入电流吸收电路的电流的第二固定量电流流至负电压端子。

4.根据权利要求3所述的半导体存储装置，其中，当感测放大器使能信号被使能时，可变吸收电路中断从检测节点流至负电压端子的电流；而当感测放大器使能信号被禁止时，可变吸收电路允许电流从检测节点流至负电压端子。

5.一种半导体存储装置，包括：

读取电压发生电路，其被配置为响应于读取信号来产生读取电压并且输出所产生的读取电压；

第一开关，其被配置为响应于读取信号来将读取电压发生电路与存储单元耦接，使得读取电压被传输至存储单元；

第二开关，其被配置为响应于读取信号来将存储单元与检测节点耦接，使得流过存储单元的电流被传输至检测节点；

电流吸收电路，其被配置为响应于感测放大器使能信号来允许从检测节点流入电流吸收电路的电流的一部分流至负电压端子并且改变从电流吸收电路流至负电压端子的电流量；以及

感测放大器，其被配置为响应于感测放大器使能信号来检测检测节点的电压电平并且输出检测结果。

6.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，电流吸收电路允许在感测放大器使能信号被使能时流至负电压端子的电流量比在感测放大器使能信号被禁止时流至负电压端子的电流量小。

7.根据权利要求6所述的半导体存储装置，其中，电流吸收电路包括：

固定吸收电路，其被配置为响应于偏置电压的电压电平来允许从检测节点流入电流吸收电路的电流的第一固定量电流流至负电压端子；以及

可变吸收电路，其被配置为响应于感测放大器使能信号来允许从检测节点流入电流吸收电路的电流的第二固定量电流流至负电压端子。

8.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中，当感测放大器使能信号被禁止时，可变吸收电路允许电流从检测节点流至负电压端子；而当感测放大器使能信号被使能时，可变吸收电路中断从检测节点流至负电压端子的电流。

9.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中，固定吸收电路包括被配置为接收偏置电压的第一晶体管。

10.根据权利要求7所述的半导体存储装置，其中，可变吸收电路包括第二晶体管和反相器，其中反相器被配置为接收感测放大器使能信号，而第二晶体管的栅极被配置为接收反相器的输出信号。

11.根据权利要求5所述的半导体存储装置，其中，存储单元的电阻电平根据储存在存储单元中的数据值来改变。