[发明专利]半导体存储装置

说明书

本技术的半导体存储装置包括：电流吸收电路，其被配置为在读取操作中允许流过存储单元的电流的一部分流至负电压端子；以及感测放大器，其被配置为在读操作中响应于感测放大器使能信号来检测存储单元的数据并且输出检测结果。电流吸收电路响应于感测放大器使能信号而改变流至负电压端子的电流量。

相关申请的交叉引用

本申请要求2016年10月26日在韩国知识产权局提交的韩国专利申请第10-2016-0140347号的优先权，其全部内容通过引用并入本文。

技术领域

各种实施例总体而言可以涉及一种半导体集成电路，更具体地，涉及一种半导体存储装置。

背景技术

半导体存储装置可以被配置为储存数据并且输出所储存的数据。

半导体存储装置已经发展为由于半导体存储装置的高速度而更快地储存数据并且更快地输出所储存的数据。

发明内容

在本公开的一个实施例中，半导体存储装置可以包括：电流吸收电路，其被配置为在读取操作中允许流过存储单元的电流的一部分流至负电压端子；以及感测放大器，其被配置为在读取操作中响应于感测放大器使能信号来检测存储单元的数据并且输出检测结果。电流吸收电路可以响应于感测放大器使能信号而改变流至负电压端子的电流量。

在本公开的另一实施例中，半导体存储装置可以包括：读取电压发生电路，其被配置为响应于读取信号来产生读取电压并且输出所产生的读取电压；第一开关，其被配置为响应于读取信号来将读取电压发生电路与存储单元耦接，使得读取电压被传输至存储单元；第二开关，其被配置为响应于读取信号来将存储单元与检测节点耦接，使得流过存储单元的电流被传输至检测节点；电流吸收电路，其被配置为响应于感测放大器使能信号来允许从检测节点流入电流吸收电路的电流的一部分流至负电压端子并且改变从电流吸收电路流至负电压端子的电流量；以及感测放大器，其被配置为响应于感测放大器使能信号来检测检测节点的电压电平并且输出检测结果。

下面在标题为“具体实施方式”的部分中描述这些和其它特征、方面以及实施例。

附图说明

从下面结合附图进行的详细描述中将更清楚地理解本公开的主题的上述以及其它方面、特征和优点，其中：

图1是示出根据本公开的实施例的半导体存储装置的配置图；以及

图2是示出采用根据上面关于图1讨论的各种实施例的半导体存储装置的系统的框图。

具体实施方式

将参考附图更详细地描述本公开的各种实施例。附图是各种实施例(和中间结构)的示意图。照此，会预期由于例如制造技术和/或公差造成的图示的配置和形状的变化。因此，所描述的实施例不应被解释为限于本文所示的特定配置和形状，而是可以包括在不脱离如所附权利要求中所限定的本公开的精神和范围的配置和形状方面的偏差。

本文中将参考本公开的理想化实施例的横截面图和/或平面图来描述本公开。然而，本公开的实施例不应被解释为限制本发明的概念。尽管将示出和描述本公开的一些实施例，但是本领域普通技术人员将理解，在不脱离本公开的原理和精神的情况下，可以对这些实施例做出改变。

如图1所示，根据实施例的半导体存储装置可以包括读取电压发生电路100、第一开关210和第二开关220、存储单元300、电流吸收电路400以及感测放大器500。

读取电压发生电路100可以在读取操作中产生读取电压V_rd并且输出所产生的读取电压V_rd。