[发明专利]具有台阶型的氮化钛图形的制造方法有效
| 申请号： | 201710964698.2 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107785307B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;朱黎敏;朱兴旺 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 本发明公开了一种具有台阶型的氮化钛图形的制造方法，包括步骤：步骤一、在具有台阶的衬底上沉积氮化钛层；步骤二、光刻定义出氮化钛图形中需要打开的位于台阶处第一部分区域；步骤三、采用湿法刻蚀工艺将第一部分区域中的氮化钛层去除；步骤四、光刻定义出氮化钛图形中需要打开的位于第一部分区域之外的第二部分区域；步骤五、采用干法刻蚀工艺将第二部分区域中的氮化钛层去除。本发明能够同时防止氮化钛的刻蚀残留以及剥落。 | ||
| 搜索关键词： | 具有 台阶 氮化 图形 制造 方法 | ||
【主权项】：
一种具有台阶型的氮化钛图形的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：步骤一、在具有台阶的衬底上沉积氮化钛层；步骤二、进行第一次光刻定义出氮化钛图形中需要打开的第一部分区域，所述第一部分区域位于所述台阶处；步骤三、采用湿法刻蚀工艺将所述第一部分区域中的氮化钛层去除；步骤四、进行第二次光刻定义出氮化钛图形中需要打开的第二部分区域，所述第二部分区域位于所述第一部分区域之外；步骤五、采用干法刻蚀工艺将所述第二部分区域中的氮化钛层去除，从而形成所述氮化钛图形。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
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H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
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