[发明专利]具有台阶型的氮化钛图形的制造方法

说明书

本发明公开了一种具有台阶型的氮化钛图形的制造方法，包括步骤：步骤一、在具有台阶的衬底上沉积氮化钛层；步骤二、光刻定义出氮化钛图形中需要打开的位于台阶处第一部分区域；步骤三、采用湿法刻蚀工艺将第一部分区域中的氮化钛层去除；步骤四、光刻定义出氮化钛图形中需要打开的位于第一部分区域之外的第二部分区域；步骤五、采用干法刻蚀工艺将第二部分区域中的氮化钛层去除。本发明能够同时防止氮化钛的刻蚀残留以及剥落。

技术领域

本发明涉及一种半导体集成电路制造方法，特别是涉及一种具有台阶型的氮化钛(TiN)图形的制造方法。

背景技术

在半导体器件中，TiN作为金属互联的一种重要材料，一般作为阻挡层及抗反射层应用在半导体制造过程中。作为MEMS工艺中的电极层材料，由于氮化钛本身化学及物理性质，尤其是氮化钛应力较大，刻蚀完成后，在小线宽的图形上经常会发生剥落的现象。

发明内容

本发明所要解决的技术问题是提供一种具有台阶型的氮化钛图形的制造方法，能够同时防止氮化钛的刻蚀残留以及剥落。

为解决上述技术问题，本发明提供的具有台阶型的氮化钛图形的制造方法包括如下步骤：

步骤一、在具有台阶的衬底上沉积氮化钛层。

步骤二、进行第一次光刻定义出氮化钛图形中需要打开的第一部分区域，所述第一部分区域位于所述台阶处。

步骤三、采用湿法刻蚀工艺将所述第一部分区域中的氮化钛层去除。

步骤四、进行第二次光刻定义出氮化钛图形中需要打开的第二部分区域，所述第二部分区域位于所述第一部分区域之外。

步骤五、采用干法刻蚀工艺将所述第二部分区域中的氮化钛层去除，从而形成所述氮化钛图形。

进一步的改进是，所述氮化钛图形为MEMS工艺中的氮化钛图形。

进一步的改进是，步骤一中所述衬底为非晶硅衬底，所述台阶为由非晶硅图形形成的台阶。

进一步的改进是，步骤二中的第一次光刻工艺包括步骤：

形成第一层光刻胶。

选定所述第一部分区域并进行曝光。

进行显影将所述第一部分区域的所述第一层光刻胶去除。

进一步的改进是，步骤三的所述湿法刻蚀工艺完成之后以及步骤四的第二次光刻工艺之前还包括去除所述第一层光刻胶的步骤。

进一步的改进是，步骤四中的第二次光刻工艺包括步骤：

形成第二层光刻胶。

选定所述第二部分区域并进行曝光。

进行显影将所述第二部分区域的所述第二层光刻胶去除。

进一步的改进是，步骤五的所述干法刻蚀工艺完成之后还包括去除所述第二层光刻胶的步骤。

进一步的改进是，步骤五中的所述干法刻蚀工艺采用金属干法刻蚀工艺。

进一步的改进是，所述非晶硅图形的俯视面结构由MEMS结构确定。

进一步的改进是，所述非晶硅图形的俯视面结构包括多边形，圆形。

本发明具有台阶型的氮化钛图形的制造方法中将氮化钛图形的刻蚀分成了两次，第一次采用湿法刻蚀工艺专门对位于台阶处的氮化钛进行刻蚀，利用湿法刻蚀工艺能够很好的去除台阶处的氮化钛的特点来防止氮化钛的残留；即当采用干法刻蚀工艺刻蚀台阶处的氮化钛时容易产生氮化钛残留，而本发明专门采用湿法刻蚀工艺来去除台阶处的氮化硅，故能避免氮化钛残留。