[发明专利]具有台阶型的氮化钛图形的制造方法有效
| 申请号： | 201710964698.2 | 申请日： | 2017-10-17 |
| 公开（公告）号： | CN107785307B | 公开（公告）日： | 2020-04-14 |
| 发明（设计）人： | 刘善善;朱黎敏;朱兴旺 | 申请（专利权）人： | 上海华虹宏力半导体制造有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/768 | 分类号： | H01L21/768;B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人： | 郭四华 |
| 地址： | 201203 上海市浦东*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 具有 台阶 氮化 图形 制造 方法 | ||
1.一种具有台阶型的氮化钛图形的制造方法，其特征在于，包括如下步骤：
步骤一、在具有台阶的衬底上沉积氮化钛层；
步骤二、进行第一次光刻定义出氮化钛图形中需要打开的第一部分区域，所述第一部分区域位于所述台阶处；
步骤三、采用湿法刻蚀工艺将所述第一部分区域中的氮化钛层去除；
步骤四、进行第二次光刻定义出氮化钛图形中需要打开的第二部分区域，所述第二部分区域位于所述第一部分区域之外；
步骤五、采用干法刻蚀工艺将所述第二部分区域中的氮化钛层去除，从而形成所述氮化钛图形。
2.如权利要求1所述的具有台阶型的氮化钛图形的制造方法，其特征在于：所述氮化钛图形为MEMS工艺中的氮化钛图形。
3.如权利要求2所述的具有台阶型的氮化钛图形的制造方法，其特征在于：步骤一中所述衬底为非晶硅衬底，所述台阶为由非晶硅图形形成的台阶。
4.如权利要求1所述的具有台阶型的氮化钛图形的制造方法，其特征在于：步骤二中的第一次光刻工艺包括步骤：
形成第一层光刻胶；
选定所述第一部分区域并进行曝光；
进行显影将所述第一部分区域的所述第一层光刻胶去除。
5.如权利要求4所述的具有台阶型的氮化钛图形的制造方法，其特征在于：步骤三的所述湿法刻蚀工艺完成之后以及步骤四的第二次光刻工艺之前还包括去除所述第一层光刻胶的步骤。
6.如权利要求1所述的具有台阶型的氮化钛图形的制造方法，其特征在于：步骤四中的第二次光刻工艺包括步骤：
形成第二层光刻胶；
选定所述第二部分区域并进行曝光；
进行显影将所述第二部分区域的所述第二层光刻胶去除。
7.如权利要求6所述的具有台阶型的氮化钛图形的制造方法，其特征在于：步骤五的所述干法刻蚀工艺完成之后还包括去除所述第二层光刻胶的步骤。
8.如权利要求1所述的具有台阶型的氮化钛图形的制造方法，其特征在于：步骤五中的所述干法刻蚀工艺采用金属干法刻蚀工艺。
9.如权利要求3所述的具有台阶型的氮化钛图形的制造方法，其特征在于：所述非晶硅图形的俯视面结构由MEMS结构确定。
10.如权利要求9所述的具有台阶型的氮化钛图形的制造方法，其特征在于：所述非晶硅图形的俯视面结构包括多边形，圆形。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹宏力半导体制造有限公司，未经上海华虹宏力半导体制造有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710964698.2/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：装置驱动功率调整方法及其装置
- 下一篇：一种基站信号发射功率的调整方法及装置
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
