[发明专利]半导体装置及其制造方法有效

专利信息
申请号: 201710963350.1 申请日: 2017-10-16
公开(公告)号: CN107968076B 公开(公告)日: 2020-09-22
发明(设计)人: 青池将之;黑川敦;小林敦 申请(专利权)人: 株式会社村田制作所
主分类号: H01L23/31 分类号: H01L23/31;H01L21/56
代理公司: 中科专利商标代理有限责任公司 11021 代理人: 赵琳琳
地址: 日本*** 国省代码: 暂无信息
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摘要: 发明的课题在于,提供一种能够降低晶片的翘曲、钝化膜的裂纹的半导体装置。半导体装置(1)具备半导体基板(2)、形成在半导体基板(2)的半导体元件(3)、与半导体元件(3)连接的金属层(4)、以及保护半导体元件(3)的钝化膜(11)。钝化膜(11)交替地层叠产生压缩应力的密度低的第一绝缘膜(12)和产生压缩应力的密度高的第二绝缘膜(13)而形成。在最靠近半导体基板(2)的最下层配置有第一绝缘膜(12)。第一绝缘膜(12)和第二绝缘膜(13)使用硅氮化膜、硅氧化膜、硅氮氧化膜中的任一者来形成。
搜索关键词: 半导体 装置 及其 制造 方法
【主权项】:
一种半导体装置,具备:半导体基板;半导体元件,形成在所述半导体基板;以及钝化膜,保护所述半导体元件,其特征在于,所述钝化膜交替地层叠产生压缩应力的密度低的第一绝缘膜和产生压缩应力的密度高的第二绝缘膜而形成,在最靠近所述半导体基板的最下层配置有所述第一绝缘膜。
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