[发明专利]半导体装置及其制造方法有效
| 申请号： | 201710963350.1 | 申请日： | 2017-10-16 |
| 公开（公告）号： | CN107968076B | 公开（公告）日： | 2020-09-22 |
| 发明（设计）人： | 青池将之;黑川敦;小林敦 | 申请（专利权）人： | 株式会社村田制作所 |
| 主分类号： | H01L23/31 | 分类号： | H01L23/31;H01L21/56 |
| 代理公司： | 中科专利商标代理有限责任公司 11021 | 代理人： | 赵琳琳 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 装置 及其 制造 方法 | ||
1.一种半导体装置，具备：半导体基板；半导体元件，形成在所述半导体基板；以及钝化膜，保护所述半导体元件，其特征在于，
所述钝化膜交替地层叠产生压缩应力的密度低的第一绝缘膜和产生压缩应力的密度高的第二绝缘膜而形成，
在最靠近所述半导体基板的最下层配置有所述第一绝缘膜，
所述第一绝缘膜的压缩应力小于在所述半导体基板侧产生的压缩应力，
在所述半导体基板形成有半导体层、绝缘膜层、有机物层以及金属层，
所述钝化膜覆盖这些半导体层、绝缘膜层、有机物层以及金属层而形成在所述半导体基板。
2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，
所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜使用硅氮化膜、硅氧化膜、硅氮氧化膜中的任一者来形成。
3.一种半导体装置的制造方法，其特征在于，具有：
在半导体基板上形成交替地层叠了产生压缩应力的密度低的第一绝缘膜和产生压缩应力的密度高的第二绝缘膜的钝化膜的工序，
在所述工序中，在最靠近所述半导体基板的最下层配置所述第一绝缘膜，
所述第一绝缘膜的压缩应力小于在所述半导体基板侧产生的压缩应力，
在所述半导体基板上，在形成所述钝化膜之前，形成半导体层、绝缘膜层、有机物层以及金属层，
所述钝化膜覆盖这些半导体层、绝缘膜层、有机物层以及金属层而形成在所述半导体基板。
4.根据权利要求3所述的半导体装置的制造方法，其特征在于，
所述金属层通过蒸镀或电镀而形成。
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