[发明专利]半导体装置及其制造方法

说明书

本发明的课题在于，提供一种能够降低晶片的翘曲、钝化膜的裂纹的半导体装置。半导体装置(1)具备半导体基板(2)、形成在半导体基板(2)的半导体元件(3)、与半导体元件(3)连接的金属层(4)、以及保护半导体元件(3)的钝化膜(11)。钝化膜(11)交替地层叠产生压缩应力的密度低的第一绝缘膜(12)和产生压缩应力的密度高的第二绝缘膜(13)而形成。在最靠近半导体基板(2)的最下层配置有第一绝缘膜(12)。第一绝缘膜(12)和第二绝缘膜(13)使用硅氮化膜、硅氧化膜、硅氮氧化膜中的任一者来形成。

技术领域

本发明涉及在半导体基板上形成有钝化膜的半导体装置及其制造方法。

背景技术

一般来说，已知有具备半导体基板、形成在半导体基板的半导体元件、以及保护半导体元件的钝化膜的半导体装置(例如，参照专利文献1)。在专利文献1公开了交替地层叠密度不同的两种压缩应力膜而形成了钝化膜的结构。

在先技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平7-130731号公报

可是，钝化膜是成膜在器件表层的保护膜，在晶片工艺的最终工序形成。因此，在对钝化膜进行成膜的晶片表面，例如形成有半导体层、绝缘膜层、有机物层以及金属层。即，在晶片表面积蓄了直到形成钝化膜之前为止的工艺历史。在该晶片中，存在作为由各种材料的热膨胀系数差引起的应力而残留压缩应力的倾向。

对此，在专利文献1记载的钝化膜将密度高的压缩应力膜配置在最下层。此时，高密度的压缩应力膜与低密度的压缩应力膜相比存在压缩应力变大的倾向。由高密度的压缩应力膜造成的压缩应力被追加到晶片的残留压缩应力。其结果是，存在如下问题，即，由于这些压缩应力，除了在晶片产生翘曲以外，还会在钝化膜产生裂纹。

发明内容

发明要解决的课题

本发明是鉴于上述的现有技术的问题而完成的，本发明的目的在于，提供一种能够降低晶片的翘曲、钝化膜的裂纹的半导体装置及其制造方法。

用于解决课题的技术方案

为了解决上述的课题，技术方案1的发明的半导体装置具备半导体基板、形成在所述半导体基板的半导体元件、以及保护所述半导体元件的钝化膜，其特征在于，所述钝化膜交替地层叠产生压缩应力的密度低的第一绝缘膜和产生压缩应力的密度高的第二绝缘膜而形成，在最靠近所述半导体基板的最下层配置有所述第一绝缘膜。

在技术方案2的发明中，所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜使用硅氮化膜、硅氧化膜、硅氮氧化膜中的任一者来形成。

在技术方案3的发明中，在所述半导体基板形成有半导体层、绝缘膜层、有机物层以及金属层，所述钝化膜覆盖这些半导体层、绝缘膜层、有机物层以及金属层而形成在所述半导体基板。

基于技术方案4的发明的半导体装置的制造方法，其特征在于，具有在半导体基板上形成交替地层叠了产生压缩应力的密度低的第一绝缘膜和产生压缩应力的密度高的第二绝缘膜的钝化膜的工序，在所述工序中，在最靠近所述半导体基板的最下层配置所述第一绝缘膜。

在技术方案5的发明中，在所述半导体基板上，在形成所述钝化膜之前，形成半导体层、绝缘膜层、有机物层以及金属层，所述钝化膜覆盖这些半导体层、绝缘膜层、有机物层以及金属层而形成在所述半导体基板。

在技术方案6的发明中，所述金属层通过蒸镀或电镀而形成。

发明效果