[发明专利]半导体制造装置用部件及其制法有效
| 申请号： | 201710952345.0 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107958837B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 竹林央史 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;陈彦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： |
本发明提供一种半导体制造装置用部件及其制法。半导体制造装置用部件的制法包括如下工序：(a)准备平板状的静电卡盘、支撑基板以及平板状的金属接合材的工序，所述静电卡盘为陶瓷制且具有晶片载置面，所述支撑基板包含复合材料且具有凹面，所述复合材料与所述陶瓷之间的40～570℃的线热膨胀系数差的绝对值为0.2×10 |
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| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 部件 及其 制法 | ||
【主权项】：
一种半导体制造装置用部件的制法，其包括如下工序：(a)准备平板状的静电卡盘、支撑基板以及平板状的金属接合材的工序，所述静电卡盘为陶瓷制且具有晶片载置面，所述支撑基板包含复合材料且具有中央比周边凹陷的形状的凹面，所述复合材料与所述陶瓷之间的40～570℃的线热膨胀系数差的绝对值为0.2×10‑6/K以下，(b)在所述支撑基板的所述凹面和所述静电卡盘的与所述晶片载置面相反侧的面之间夹入所述金属接合材，在所述金属接合材的固相线温度以下的温度将所述支撑基板与所述静电卡盘进行热压接合，从而使所述静电卡盘变形为具有与所述凹面相同的弯曲度的工序。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
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