[发明专利]半导体制造装置用部件及其制法

说明书

本发明提供一种半导体制造装置用部件及其制法。半导体制造装置用部件的制法包括如下工序：(a)准备平板状的静电卡盘、支撑基板以及平板状的金属接合材的工序，所述静电卡盘为陶瓷制且具有晶片载置面，所述支撑基板包含复合材料且具有凹面，所述复合材料与所述陶瓷之间的40～570℃的线热膨胀系数差的绝对值为0.2×10^‑6/K以下；以及(b)在支撑基板的凹面和静电卡盘的与晶片载置面相反侧的面之间夹入金属接合材，通过在金属接合材的固相线温度以下的温度对支撑基板和静电卡盘进行热压接合，从而使静电卡盘变形为具有与凹面相同的弯曲度的工序。

技术领域

本发明涉及半导体制造装置用部件及其制法。

背景技术

作为半导体制造装置用部件，已知有如下部件，该部件具备：具有晶片载置面且埋设有静电电极的静电卡盘、以及接合于该静电卡盘的与晶片载置面相反侧的面的支撑基板。专利文献1中公开了，作为半导体制造装置用部件，支撑基板中的与静电卡盘接合的面是凹面，且以凹面的中央部的深度是凹面直径的6.66×10^-5～8.33×10^-5倍的方式形成。还进行了如下说明：根据这样的半导体制造装置用部件，通过将支撑基板中的与静电卡盘接合的面形成为凹面，能够稳定地保持晶片。专利文献1中，静电卡盘由陶瓷部件构成，支撑基板由铝部件、不锈钢部件等构成。这里，如果比较线热膨胀系数，则作为陶瓷的代表例的氧化铝为7～8×10^-6/K，铝约为23×10^-6/K，作为不锈钢的代表例的SUS304约为16×10^-6/K。此外，在粘接静电卡盘与支撑基板的凹面时，在二者的间隙中浸润粘接剂来进行粘接。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本专利第5628507号公报

发明内容

发明要解决的课题

但是，专利文献1中，由于静电卡盘与支撑基板之间的线热膨胀系数差较大，因而在将二者加热来进行粘接的工序中，会因该线热膨胀系数差而引起变形。因此，难以使静电卡盘精度良好地反映支撑基板的凹面形状。此外，由于在静电卡盘与支撑基板的凹面的间隙中浸润粘接剂(即，将粘接剂制成液态而使其渗入)，因而粘接后的粘接层的厚度易于产生不均，从这一点上也难以使静电卡盘精度良好地反映支撑基板的凹面形状。

本发明是为了解决这样的课题而提出，主要目的在于提供一种使静电卡盘精度良好地反映支撑基板的凹面形状的半导体制造装置用部件。

用于解决课题的方法

本发明的半导体制造装置用部件的制法包括如下工序：

(a)准备平板状的静电卡盘、支撑基板以及平板状的金属接合材的工序，上述静电卡盘为陶瓷制且具有晶片载置面，上述支撑基板包含复合材料且具有中央比周边凹陷的形状的凹面，所述复合材料与上述陶瓷之间的40～570℃的线热膨胀系数差的绝对值为0.2×10^-6/K以下，

(b)在上述支撑基板的上述凹面和上述静电卡盘的与上述晶片载置面相反侧的面之间，夹入上述金属接合材，在上述金属接合材的固相线温度以下的温度对上述支撑基板和上述静电卡盘进行热压接合，从而使上述静电卡盘变形为具有与上述凹面相同的弯曲度的工序。

该制法中，由于构成静电卡盘的陶瓷与构成支撑基板的复合材料之间的40～570℃的线热膨胀系数差的绝对值为0.2×10^-6/K以下，因此在将二者加热来进行接合时，不会或几乎不会因该线热膨胀系数差而发生变形。此外，由于在支撑基板的凹面和静电卡盘的与晶片载置面相反侧的面之间夹入金属接合材，并在该金属接合材的固相线温度以下的温度将二者热压接合，因此金属接合层的厚度难以产生不均。由此，能够使静电卡盘精度良好地反映支撑基板的凹面形状。