[发明专利]半导体制造装置用部件及其制法有效
| 申请号： | 201710952345.0 | 申请日： | 2017-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN107958837B | 公开（公告）日： | 2023-01-10 |
| 发明（设计）人： | 竹林央史 | 申请（专利权）人： | 日本碍子株式会社 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/683;H01L21/67 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 钟晶;陈彦 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 暂无信息 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 半导体 制造 装置 部件 及其 制法 | ||
1.一种半导体制造装置用部件的制法，其包括如下工序：
(a)准备平板状的静电卡盘、支撑基板以及平板状的金属接合材的工序，所述静电卡盘为陶瓷制且具有晶片载置面，所述支撑基板包含复合材料且具有中央比周边凹陷的形状的凹面，所述复合材料与所述陶瓷之间的40～570℃的线热膨胀系数差的绝对值为0.2×10-6/K以下，
(b)在所述支撑基板的所述凹面和所述静电卡盘的与所述晶片载置面相反侧的面之间夹入所述金属接合材，在所述金属接合材的固相线温度以下的温度将所述支撑基板与所述静电卡盘进行热压接合，从而使所述静电卡盘变形为具有与所述凹面相同的弯曲度的工序，
所述凹面的最凹陷部位的深度为40～60μm。
2.如权利要求1所述的半导体制造装置用部件的制法，其中，所述凹面为凹陷成球面状的面。
3.如权利要求1或2所述的半导体制造装置用部件的制法，其中，所述陶瓷是氧化铝，
所述复合材料是含有37～60质量％的碳化硅，且分别以少于所述碳化硅的质量％的量含有硅化钛、钛碳化硅和碳化钛的材料，
所述金属接合材由Al-Si-Mg系或Al-Mg系材料构成。
4.如权利要求1或2所述的半导体制造装置用部件的制法，其中，所述静电卡盘的厚度为2mm以上且5mm以下，
所述支撑基板的厚度为7mm以上且15mm以下。
5.一种半导体制造装置用部件，其具备：
静电卡盘，其为陶瓷制且具有晶片载置面；
支撑基板，其包含复合材料且具有中央比周边凹陷的形状的凹面，所述复合材料与所述陶瓷之间的40～570℃的线热膨胀系数差的绝对值为0.2×10-6/K以下；以及
金属接合层，其在所述静电卡盘变形为具有与所述凹面相同的弯曲度的状态下，将所述静电卡盘的与所述晶片载置面相反侧的面和所述支撑基板的所述凹面进行接合，
所述凹面的最凹陷部位的深度为40～60μm。
6.如权利要求5所述的半导体制造装置用部件，其中，所述凹面为凹陷成球面状的面。
7.如权利要求5或6所述的半导体制造装置用部件，其中，所述陶瓷是氧化铝，
所述复合材料是含有37～60质量％的碳化硅，且分别以少于所述碳化硅的质量％的量含有硅化钛、钛碳化硅和碳化钛的材料，
所述金属接合层由Al-Si-Mg系或Al-Mg系材料构成。
8.如权利要求5或6所述的半导体制造装置用部件，其中，所述静电卡盘的厚度为2mm以上且5mm以下，
所述支撑基板的厚度为7mm以上且15mm以下。
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