[发明专利]芯片高精度电阻自校准电路在审
申请号: | 201710949744.1 | 申请日: | 2017-10-13 |
公开(公告)号: | CN107741757A | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 周贵明 | 申请(专利权)人: | 广州市时芯电子科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/625 | 分类号: | G05F1/625 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510850 广东省广州市花都区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本发明涉及一种芯片高精度电阻自校准电路,集成电路芯片中片上高精度电阻的自校准产生电路,涉及芯片设计技术领,特别是高性能模拟芯片的设计技术,采用了片上自校准方式,在不需要片外高精度电阻的情况下,采用充放电方式实现片上电阻的自校正,实现片上电阻从+/‑20%的偏差减小到+/‑5%以内。该校准方法需要片上高精度电容一起协同合作,采用65nm 工艺节点以下的工艺,实现片上高精度电阻,精度误差从原来的+/‑20% 缩小到+/‑5% 以内,使芯片上的各种高精度敏感电路的设计偏差减小,大大提高芯片的量产率。同时,这种校准方式不需要采用片外高精度电阻为基准参考,可以省去片外基准电阻的费用和出场校准时间,从而也节省了芯片量产和应用的成本。 | ||
搜索关键词: | 芯片 高精度 电阻 校准 电路 | ||
【主权项】:
一种芯片高精度电阻自校准电路,其特征包括:片上晶体振荡器或稳定时钟产生源(1),片上RC 充放电校准时钟产生电路模块(2),片上RC 充电电路(3),片上RC 放电电路(4),片上高精度电容(5), 片上开关电阻阵列(6),比较器模块(7),数字检测判决电路(8),模拟参考电压产生模块(9),稳压电源模块(10)。
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