[发明专利]芯片高精度电阻自校准电路在审
申请号: | 201710949744.1 | 申请日: | 2017-10-13 |
公开(公告)号: | CN107741757A | 公开(公告)日: | 2018-02-27 |
发明(设计)人: | 周贵明 | 申请(专利权)人: | 广州市时芯电子科技有限公司 |
主分类号: | G05F1/625 | 分类号: | G05F1/625 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 510850 广东省广州市花都区*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 芯片 高精度 电阻 校准 电路 | ||
1.一种芯片高精度电阻自校准电路,其特征包括:片上晶体振荡器或稳定时钟产生源(1),片上RC 充放电校准时钟产生电路模块(2),片上RC 充电电路(3),片上RC 放电电路(4),片上高精度电容(5), 片上开关电阻阵列(6),比较器模块(7),数字检测判决电路(8),模拟参考电压产生模块(9),稳压电源模块(10)。
2.如权利要求1所述芯片高精度电阻自校准电路的一种实施方法,所述方法包括如下步骤:
第一步,片上晶体振荡器或稳定时钟产生源产生一个稳定的频率和占空比的时钟信号到片上RC 充放电校准时钟产生电路模块中;
第二步,RC充放电校准时钟产生模块根据输入的参考时钟源, 内部产生充放电电路需要的非交叠三相时钟,一个时钟给RC充电电路,一个时钟给RC放电电路以及一个时钟给比较器电路和数字检测判决电路;
第三步:片上RC 充电电路和RC 放电电路,通过片上RC 充放电时钟产生电路送来的时钟,对片上开关电阻阵列和片上高精度电容组成的RC并联阵列进行充放电;
第四步:RC 并联阵列充放电后在RC 并联阵列上产生的模拟电压和模拟参考电压产生模块产生的参考电压进行比较,比较通过比较器模块完成,比较结束后把比较器的输出送到数字检测判决电路进行判决,判决结果返回数字控制信号到片上开关电阻阵列控制电阻阵列的开关,最后实现片上电阻的自动校准;
第五步,以上所有电路均在片上稳压电源模块供电下下工作。
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