[发明专利]一种像素掩膜板及其制作方法有效
| 申请号： | 201710938760.0 | 申请日： | 2017-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN109594040B | 公开（公告）日： | 2020-11-03 |
| 发明（设计）人： | 刘雪洲;李硕;夏振 | 申请（专利权）人： | 张家港康得新光电材料有限公司 |
| 主分类号： | C23C14/04 | 分类号： | C23C14/04;C23C14/24;H01L51/56 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 刘书芝 |
| 地址： | 215000 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本申请公开了一种像素掩膜板及其制作方法。该方法包括提供一绝缘体上硅SOI衬底，所述SOI衬底包括背衬底、埋氧层和顶层硅；在所述顶层硅上刻蚀形成像素图形，刻蚀终点至所述埋氧层；将所述埋氧层去除并使所述顶层硅和所述背衬底分离，分离后的所述顶层硅为具有开口图形的硅膜，所述硅膜的开口图形为像素图形，所述硅膜的边缘与所述硅膜的开口图形之间的外围区域具有支撑部；提供一载体基板，所述载体基板具有边框部与镂空部，所述边框部与所述支撑部连接形成掩膜板，所述镂空部与所述像素图形相对应。本发明采用半导体工艺制作出一种像素掩膜板，使其用于蒸镀技术中，实现RGB像素独立发光方式的超高分辨率，去除彩色滤光片的影响，提高OLED器件的光效。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 像素 掩膜板 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
1.一种像素掩膜板的制作方法，其特征在于，包括：步骤10：提供一绝缘体上硅SOI衬底，所述SOI衬底包括背衬底、埋氧层和顶层硅；步骤20：在所述顶层硅上刻蚀形成像素图形，刻蚀终点至所述埋氧层；步骤30：将所述埋氧层去除并使所述顶层硅和所述背衬底分离，分离后的所述顶层硅为具有开口图形的硅膜，所述硅膜的开口图形为像素图形，所述硅膜的边缘与所述硅膜的开口图形之间的外围区域具有支撑部；步骤40：提供一载体基板，所述载体基板具有边框部与镂空部，所述边框部与所述支撑部连接形成掩膜板，所述镂空部与所述像素图形相对应。
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