[发明专利]一种像素掩膜板及其制作方法

权利要求书

1.一种像素掩膜板的制作方法，其特征在于，包括：

步骤10：提供一绝缘体上硅SOI衬底，所述SOI衬底包括背衬底、埋氧层和顶层硅；

步骤20：在所述顶层硅上刻蚀形成像素图形，刻蚀终点至所述埋氧层；

步骤30：采用湿法腐蚀方法将所述埋氧层去除并使所述顶层硅和所述背衬底分离，分离后的所述顶层硅为具有开口图形的硅膜，所述硅膜的开口图形为像素图形，所述硅膜的边缘与所述硅膜的开口图形之间的外围区域具有支撑部；

步骤40：提供一载体基板，所述载体基板具有边框部与镂空部，所述边框部与所述支撑部连接形成掩膜板，所述镂空部与所述像素图形相对应。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，

由所述硅膜的靠近边框部的一面对所述像素图形进行倒角。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，采用低密度等离子刻蚀方法对所述硅膜的所述像素图形进行倒角。

4.根据权利要求1至3任一项所述的方法，其特征在于，步骤20的具体制作方法为：在所述顶层硅表面制作阻挡层，所述阻挡层具有像素图形，并通过曝光及刻蚀工艺将所述阻挡层的像素图形转移至所述顶层硅上。

5.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，所述阻挡层为氧化硅或氮化硅材料。

6.根据权利要求4所述的方法，其特征在于，在步骤30之后，步骤40之前，包括：

采用湿法腐蚀将所述阻挡层去除。

7.一种像素掩膜板，根据权利要求1至6任一项所述的方法制备，其特征在于，包括：载体基板及硅膜，所述载体基板具有边框部与镂空部，所述硅膜的开口图形为像素图形，所述硅膜的边缘与所述硅膜的开口图形之间的外围区域具有支撑部，所述边框部与所述支撑部连接，而所述镂空部与所述像素图形相对应。

8.根据权利要求7所述的像素掩膜板，其特征在于，所述硅膜的靠近所述边框部的一面的所述像素图形具有倒角。

9.根据权利要求7所述的像素掩膜板，其特征在于，所述载体基板的材料包括玻璃或硅片。