[发明专利]一种像素掩膜板及其制作方法

说明书

本申请公开了一种像素掩膜板及其制作方法。该方法包括提供一绝缘体上硅SOI衬底，所述SOI衬底包括背衬底、埋氧层和顶层硅；在所述顶层硅上刻蚀形成像素图形，刻蚀终点至所述埋氧层；将所述埋氧层去除并使所述顶层硅和所述背衬底分离，分离后的所述顶层硅为具有开口图形的硅膜，所述硅膜的开口图形为像素图形，所述硅膜的边缘与所述硅膜的开口图形之间的外围区域具有支撑部；提供一载体基板，所述载体基板具有边框部与镂空部，所述边框部与所述支撑部连接形成掩膜板，所述镂空部与所述像素图形相对应。本发明采用半导体工艺制作出一种像素掩膜板，使其用于蒸镀技术中，实现RGB像素独立发光方式的超高分辨率，去除彩色滤光片的影响，提高OLED器件的光效。

技术领域

本发明属于掩膜板制作技术领域，具体而言，涉及一种像素掩膜板及其制作方法。

背景技术

目前，虚拟现实技术(Virtual Reality，VR)/增强现实技术(Augmented Reality，AR)等近眼显示应用逐渐兴起，由于使用过程中显示屏距离人眼很近，因此对显示的基本要求是高分辨率，对屏幕的尺寸要求一般在2英寸以下。现有的用于AR等近眼显示的主流技术为有机发光二极管(Organic Light-emitting Diode，OLED)。OLED具有自发光的特性，采用非常薄的有机材料涂层和玻璃基板，当有电流通过时，这些有机材料就会发光。

OLED显示的彩色化主要采用彩色滤光片技术实现，这种技术利用白光OLED结合彩色滤光片，首先制备发白光OLED的器件，然后通过彩色滤光片得到三基色，再组合三基色实现彩色显示，但使用彩色滤光片会严重影响发光效率及亮度；还可以采用RGB像素独立发光的方式，这种方式在蒸镀过程中采用精细金属掩膜板，而随着对OLED显示分辨率的要求越来越高，精细金属掩膜板厚度需要变薄，精细金属掩膜板厚度变薄的同时无法避免下垂的现象，所以不能制造出超出限度以下的厚度，受限于精细金属掩膜板加工精度的要求，采用这种方式的分辨率很难达到600ppi以上。目前在开发的喷墨打印法(Ink-jet printing)，激光诱导热成像(Laster-Induced Thermal Imaging,LITI)等其它工艺均未见1000ppi以上超高分辨率的样品展示。

综上所述，现有的制作工艺无法满足用户对于OLED显示的高分辨率的要求。

发明内容

针对现有技术存在的上述问题，本发明的目的在于提供一种像素掩膜板及其制作方法，使其可适用于蒸镀技术，以实现RGB独立发光方式的超高分辨率，去除彩色滤光片的影响，提高OLED器件的光效。

本发明实施例提供了一种像素掩膜板的制作方法，包括：

步骤10：提供一绝缘体上硅(Silicon On Insulator，SOI)衬底，

所述SOI衬底包括背衬底、埋氧层和顶层硅；

步骤20：在所述顶层硅上刻蚀形成像素图形，刻蚀终点至所述埋氧层；

步骤30：将所述埋氧层去除并使所述顶层硅和所述背衬底分离，分离后的所述顶层硅为具有开口图形的硅膜，所述硅膜的开口图形为像素图形，所述硅膜的边缘与所述硅膜的开口图形之间的区域具有支撑部；

步骤40：提供一载体基板，所述载体基板具有边框部与镂空部，所述边框部与所述支撑部连接形成掩模板，所述镂空部与所述像素图形相对应。

可选地，由所述硅膜的靠近边框部的一面对所述像素图形进行倒角。

可选地，采用低密度等离子刻蚀方法由所述硅膜的靠近边框部的一面对所述像素图形进行倒角。

可选地，步骤20的具体制作方法为：在所述顶层硅表面形成阻挡层，所述阻挡层具有像素图形，并通过曝光及刻蚀工艺将所述阻挡层的像素图形转移至所述顶层硅上。

可选地，所述阻挡层的材料为氧化硅或氮化硅。