[发明专利]一种LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201710933788.5 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107611236B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 艾国齐 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本发明提供的一种LED芯片的制作方法，包括提供一衬底，在所述衬底上形成外延层，其中，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层，对所述外延层进行蚀刻，刻蚀至第一半导体层并形成切割道，在所述第二半导体层表面形成导电扩展层，对所述导电扩展层进行湿法蚀刻，形成第一孔洞，对所述第一孔洞进行干法蚀刻，刻蚀至第二半导体层表面并形成第二孔洞，在所述第一半导体层上形成第一电极，在所述第一孔洞和第二孔洞内形成第二电极，形成LED晶园，通过增加电极与导电扩展层的接触面积，从而增加电极粘附力，操作简单、便于大规模生产，且无需大型昂贵设备，降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制作方法 | ||
【主权项】：
一种LED芯片的制作方法，包括：提供一衬底；在所述衬底上形成外延层，其中，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；对所述外延层进行蚀刻，刻蚀至第一半导体层并形成切割道；在所述第二半导体层表面形成导电扩展层；对所述导电扩展层进行湿法蚀刻，形成第一孔洞；对所述第一孔洞进行干法蚀刻，刻蚀至第二半导体层表面并形成第二孔洞；在所述第一半导体层上形成第一电极，在所述第一孔洞和第二孔洞内形成第二电极，形成LED晶园。
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