[发明专利]一种LED芯片及其制作方法有效
| 申请号： | 201710933788.5 | 申请日： | 2017-10-10 |
| 公开（公告）号： | CN107611236B | 公开（公告）日： | 2020-05-19 |
| 发明（设计）人： | 艾国齐 | 申请（专利权）人： | 佛山市国星半导体技术有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/38 | 分类号： | H01L33/38 |
| 代理公司： | 广州三环专利商标代理有限公司 44202 | 代理人： | 胡枫 |
| 地址： | 528200 广东省佛山市南海区狮*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 led 芯片 及其 制作方法 | ||
1.一种LED芯片的制作方法，包括：
提供一衬底；
在所述衬底上形成外延层，其中，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；
对所述外延层进行蚀刻，刻蚀至第一半导体层并形成切割道；
在所述第二半导体层表面形成导电扩展层，所述导电扩展层的厚度为
采用FeCl3和HCl的混合溶液对导电扩展层进行湿法蚀刻，蚀刻时间为5-60秒，刻蚀至导电扩展层的中间深度，形成第一孔洞，所述第一孔洞的形状为倒梯形；
采用ICP刻蚀工艺对第一孔洞进行蚀刻，蚀刻时间为10-60min，刻蚀至第二半导体层表面并形成第二孔洞，所述第二孔洞的形状为梯形；
在所述第一半导体层上形成第一电极，在所述第一孔洞和第二孔洞内形成第二电极，形成LED晶圆。
2.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述导电扩展层的材质为铟锡氧化物，其中，铟锡氧化物中铟和锡的比例为70-99:1-30。
3.根据权利要求2所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，采用电子束蒸发工艺在第二半导体层表面蒸镀一层导电扩展层，其中，蒸镀温度为200-300℃，氧气流量为5-20sccm，蒸镀腔体真空度为3.0-10.0E-5，蒸镀时间为100-300min。
4.根据权利要求1所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，在形成第一电极和第二电极之后，还包括以下步骤：
在所述LED晶圆表面形成钝化层。
5.根据权利要求4所述的LED芯片的制作方法，其特征在于，所述钝化层由氧化硅、氮化硅和氧化铝中的一种或几种制成。
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