[发明专利]一种LED芯片及其制作方法

说明书

本发明提供的一种LED芯片的制作方法，包括提供一衬底，在所述衬底上形成外延层，其中，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层，对所述外延层进行蚀刻，刻蚀至第一半导体层并形成切割道，在所述第二半导体层表面形成导电扩展层，对所述导电扩展层进行湿法蚀刻，形成第一孔洞，对所述第一孔洞进行干法蚀刻，刻蚀至第二半导体层表面并形成第二孔洞，在所述第一半导体层上形成第一电极，在所述第一孔洞和第二孔洞内形成第二电极，形成LED晶园，通过增加电极与导电扩展层的接触面积，从而增加电极粘附力，操作简单、便于大规模生产，且无需大型昂贵设备，降低生产成本。

技术领域

本发明涉及一种发光二极管技术领域，尤其涉及一种LED芯片及其制作方法。

背景技术

LED(Light Emitting Diode，发光二极管)是一种利用载流子复合时释放能量形成发光的半导体器件，LED芯片具有耗电低、色度纯、寿命长、体积小、响应时间快、节能环保等诸多优势。

目前，LED芯片在制作过程中，为了增强电极与芯片的粘附能力，一般对电极进行欧姆接触。但LED芯片在使用过程中，产生大量的热量，破坏欧姆接触，从而影响电极与芯片之间的粘附能力，进而降低LED芯片的光电性能，出现电压过高、LED芯片烧毁等现象，降低LED芯片的可靠性。

此外，LED芯片在制作过程中，使用的材料、制作工艺，也会影响电极与芯片的粘附能力。

发明内容

本发明所要解决的技术问题在于，提供一种LED芯片及其制作方法，改变导电扩展层的刻蚀方法和刻蚀的形状，增加电极与导电扩展层之间的接触面积，从而提高电极的粘附力，提高LED芯片的可靠性。

为了解决上述技术问题，本发明提供了一种LED芯片的制作方法，包括：

提供一衬底；

在所述衬底上形成外延层，其中，所述外延层包括依次设于所述衬底表面的第一半导体层、有源层和第二半导体层；

对所述外延层进行蚀刻，刻蚀至第一半导体层并形成切割道；

在所述第二半导体层表面形成导电扩展层；

对所述导电扩展层进行湿法蚀刻，形成第一孔洞；

对所述第一孔洞进行干法蚀刻，刻蚀至第二半导体层表面并形成第二孔洞；

在所述第一半导体层上形成第一电极，在所述第一孔洞和第二孔洞内形成第二电极，形成LED晶园。

作为上述方案的改进，所述湿法蚀刻的方法包括：采用FeCl₃和HCl的混合溶液对导电扩展层进行蚀刻，蚀刻时间为5-60秒。

作为上述方案的改进，所述干法蚀刻的方法包括：采用ICP刻蚀工艺对第一孔洞进行蚀刻，蚀刻时间为10-60min。

作为上述方案的改进，所述第一孔洞的形状为倒梯形，所述第二孔洞的形状为梯形。

作为上述方案的改进，所述导电扩展层的厚度为

作为上述方案的改进，所述导电扩展层的材质为铟锡氧化物，其中，铟锡氧化物中铟和锡的比例为70-99:1-30。

作为上述方案的改进，采用电子束蒸发工艺在第二半导体层表面蒸镀一层导电扩展层，其中，蒸镀温度为200-300℃，氧气流量为5-20sccm，蒸镀腔体真空度为3.0-10.0E-5，蒸镀时间为100-300min。

作为上述方案的改进，在形成第一电极和第二电极之后，还包括以下步骤：

在所述LED晶园表面形成钝化层。

作为上述方案的改进，所述钝化层由氧化硅、氮化硅和氧化铝中的一种或几种制成。